内存CL-RCD-RP-RAS含义 技术标签:存储 CAS# Latency:行地址控制器延迟时间,简称CL。表示从已经寻址的行,到达输出缓存器的数据所需要的时钟循环数。对内存来说,这是最重要的一个参数,这个值越小,系统读取内存数据的速度就越快,反之越慢。 RAS# to CAS#:列地址至行地址的延迟时间,简称RCD,表示在已经决定的列...
CAS＃ Latency：行地址控制器延迟时间，简称CL。表示从已经寻址的行，到达输出缓存器的数据所需要的时钟循环数。对内存来说，这是最重要的一个参数，这个值越小，系统读取内存数据的速度就越快，反之越慢。 RAS＃ to CAS＃：列地址至行地址的延迟时间，简称RCD，表示在已经决定的列地址和已经送出行...
这是内存的时序表,一般来说时序越低,内存延迟越低,性能越好.但性能不只尤时序决定,还取决于内存频率.当内存频率越高,时序越低时,内存性能便很好.当然如果要OC,内存体质就是关键.
CAS Latency (CL) 5T RAS To CAS Delay (tRCD) 5T RAS Precharge (tRP) 5T RAS Active Time (tRAS) 18T Row Cycle Time (tRC) 24T Command Rate (CR) 2T RAS To RAS Delay (tRRD) 3T Write Recovery Time (tWR) 6T Write To Read Delay (tWTR) 3T Refresh Period (tREF) 3.9 us DRAM Drive...
优化大师显示的是你的内存的内定频率，三个值分别指当内存频率在133、166、200MHz时内存的时序参数值。结合CPU-Z显示的内存当前实际频率为133.8MHz，你的内存当前实际时序为2-3-3-6。外频和内存主频是两码事，内存频率以外频的一定比例决定。内存颗粒数指内存条上的闪存芯片数量 ...
解析:内存参数CL、CAS、RCD、RP 一、CAS、RCD、RP是内存芯片的重要参数，它们表示内存工作的延迟时间，当延迟时间越短，其内存的工作效率就越高，其性能也就越好。CAS：CAS Latency，列地址脉冲选通潜伏期（又可简称为CL）RCD：RAS-to-CAS Delay，行寻址至列寻址延迟时间 RP：RAS Precharge Time，...
CAS Latency，即列地址选通脉冲时间延迟，我们常说的CL值就是它。指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。RAS－to－CAS Delay（tRCD），对应于CAS，RAS是指Row Address Strobe，行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS（数据请求后首先被激发）和...