JFET的工作原理用一句话说,就是"漏极-源极间流经沟道的ID ,用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID "。更正确地说,ID 流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。 在VGS =0的非饱和区域,图10.4.1(a)表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间...
合芯半导体2012年至今一直致力于功率半导体元器件的研发生产销售,生产的高压MOS管比如:4N65,7N65,10N65,12N65,20N65,4N70,5N50,10N50中低压MOSFET比如:3400,3401,2302,2301,60N03,50N06,80N03,15N10,75N80等得到客户的信任,市场占有率逐年提高。 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。