矽源特ChipSourceTek-CST100N03是高电池密度密集的N-ch MOSFETs，它为大多数同步降压转换器应用提供了优秀的RDSON和栅极电荷。矽源特ChipSourceTek-CST100N03满足RoHS和绿色产品的要求，100% EAS保证，全功能可靠性得到批准。The 矽源特ChipSourceTek-CST100N03 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, ...
晶体管类型 1 N-Channel 宽度 5.15 mm 正向跨导 - 最小值 80 S 下降时间 6.2 ns 上升时间 9.2 ns 典型关闭延迟时间 35 ns 典型接通延迟时间 6.4 ns 零件号别名 BSC011N03LSIATMA1 SP000884574 BSC11N3LSIXT BSC011N 单位重量 100 mg 可售卖地 全国 型号 BSC011N03LSI PDF资料 电子...
型号: BSC100N03MS G 批号: 20+ 封装: TDSON-8 数量: 8886 QQ: 277735580 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TDSON-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 44 A Rds On-漏源导通电阻: ...
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IPD100N06S4-03 is an Automotive MOSFET offering 60V, N-Ch, 3.5 mΩ max, DPAK, OptiMOS™-T2, AEC Q101 qualified, 175°C operating temperature, RoHS compliant.
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