D.Im(z-5i )<-1 3. Re(e 2x+iy )=（）A.e 2x B.e y C.e 2x cosyD.e 2x siny 4. Re(cosi)=（）A ．2 e e 1-+ B ．2e e 1-- C ．2e e 1+-- D ．2e e 1-- 5. 复数e 3-2i 所对应的点( )。A. 第一象限 B. 第二象限 C. 第三象限 D. 第四象限 6...
Seidel在1996年預測,到2010年100nm元件微電子材料將包括選擇性磊晶矽、CoSi2或TiSi2接觸與閘極、Cu連線與擴散障礙層、Cu栓塞、絕緣體上矽晶(Silicon on Insulator,SOI),低介電與高介電氧化物絕緣層。 (CSG)和自旋塗佈的介電質層(SOD)以及多孔性的二氧化矽。這些低介電質材料可以藉由CVD製程沉積,像是CSGα-...
4.Re(cosi)= （ ）A． B． C． D． 5.复数e3-2i所对应的点( )。A. 第一象限 B. 第二象限 C. 第三象限 D. 第四象限 6.设z=(-i)i,则|z|=___.7.Z=则argZ=___. 8.23.设z=e2+i，则argz= .9.5.复数e3+i所对应的点在（ ） A.第一象限 ...
1-2.試討論 2010 年以後元件。 Ans: 根據在美國美國半導體製造技術策略聯盟(Semiconductor Manufacturing Technology, SEMATECH)任職的 T. Seidel 在 1996 年預測, 到 2010 年 100nm 元件微電子材料將包括選擇性磊晶矽、 CoSi2 收藏 分享 下载 举报 用客户端打开 ...
解：用欧拉公式e^(ix)=cosx+isinx，有cosx=[e^(ix)+e^(-ix)]/2，sinx=[e^(ix)-e^(-ix)]/(2i)。∴sini=[e^(-1)-e]/(2i)=i(e-1/e)/2=isinh1。同理，cosi=cosh1 ∴cos(1+i)=cos1cosi-sin1sini=cos1cosh1-isin1sinh1。供参考。
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Seidel在1996年預測,到2010年100nm元件微電子材料將包括選擇性磊晶矽、CoSi2或TiSi2接觸與閘極、Cu連線與擴散障礙層、Cu栓塞、絕緣體上矽晶(Silicon on Insulator,SOI),低介電與高介電氧化物絕緣層。 (CSG)和自旋塗佈的介電質層(SOD)以及多孔性的二氧化矽。這些低介電質材料可以藉由CVD製程沉積,像是CSGα-...
2D-COSI-820-1421 LCS-E-5-OV EVS9328-ES ES371AMB GPD515C-B065 3014332600 6321601400 882I330930 053629-00 053630-00 053669-01 5373000 084736-00 8495006 8546401 8591501 8621100 8622000 8638700 9437300 9437700 9437701 9437702 9806701 20000981