CGH60008D 是一种氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能;包括更高的击穿电压;更高的饱和电子漂移速度;和更高的热导率。与 Si 和 GaAs 晶体管相比,GaN HEMT 提供更高的功率密度和更宽的带宽。CGH60008D-GP4 特征8 W 典型 PSAT @ 28 V 操作5 W 典型 PSAT @ 20...
CGH60008D是Wolfspeed推出的一款基于氮化镓(GaN)工艺的高电子迁移率晶体管(HEMT) 。对比传统的硅或砷化镓芯片, 基于GaN的产品具备更加优异的性能,尤其是在耐高压、饱和电子漂移速度、导热性方面。而且在功率和频带参数指标方面,基于GaN的 HEMT可以提供更为优异的参数表现。 CGH60008D的芯片外形封装尺寸为 820 x 920(...
产品规格 纠错 型号 CGH60008D 制造商 Cree 描述 8 W,6.0 GHz,宽带 GaN HEMT 裸片 频率 0 - 6000 MHz 供电电压 28 V 增益 15 dB 功率(W) 8 W类似商品 CGH60008D 晶体管 Wolfspeed CGH60030D 晶体管 Wolfspeed CGH60030D 晶体管 Cree CGH60060D 晶体管 Wolfspeed CGH60060D 晶体管 Cree ...
型号 CGH60008D-GP4 进口品牌功率管(内匹配、外匹配)、功放芯片、功放模块等国产替代方案解决商! 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成...
型号 CGH60008D 型号: CGH60008D 品牌: CREE 封装: 电子元器件 批号: DC~6GHz, 8W , 28V 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成...
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Cree GaN/CGH60008D 加工定制 否 品牌 Cree GaN 型号 CGH60008D 应用范围 电缆 种类 转接头 接口类型 DC/DC 形状 圆形 制作工艺 冷压 特性 CGH60008D 工作频率 低频MHz 接触件材质 CGH60008D 绝缘体材质 CGH60008D 芯数 CGH60008D 针数 CGH60008D 线长 CGH60008D(mm) Cree GaN 功放管 CGH60008D 'Cree ...
CGH60008D价格 ¥ 100.00 ¥ 90.00 ¥ 80.00 起订数 100个起批 1000个起批 10000个起批 发货地 广东深圳 咨询底价 产品服务 热门商品 L1C1-4080000000000 ¥ 0.10 BAV99/8 ¥ 1.00 ASML5829-BLKG ¥ 100.00 NCV5500DTADJRKG 电源管理芯片 ON 封装SOT223 批次22 ¥ 2.51 EP1C12F256C8...