CFET (互补场效应晶体管 )是一种 CMOS 工艺,其中晶体管垂直堆叠,而不是像所有先前的逻辑工艺那样位于同一平面,比如平面工艺、FinFET、纳米片场效应晶体管(NSFET,也称为环栅或 GAA)。CFET 将会被用于未来更为尖端的埃米级制程工艺。根据此前imec(比利时微电子研究中心)公布的技术路线图显示,凭借CFET晶体管技术,203...
2018年imec在VLSI技术会议发表的论文《The Complementary FET (CFET) for CMOS scaling beyond N3》中提出互补场效应晶体管(CFET,Complementary FET)概念。目前,有关CFET的研究正在加快进行。 IEDM2024,台积电、IMEC、IBM、英特尔和三星等各大半导体公司的研究人员将汇聚一堂,分享关于垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)技术...
台积电资深副总经理暨副共同首席运营官张晓强在2024技术论坛上宣布,台积电已成功集成不同晶体管架构,在实验室做出CFET(互补式场效应晶体管)。 张晓强指出,CFET预计将导入先进逻辑制程以及下世代先进逻辑制程,台积电研发部门仍寻求导入新材料,实现让单一逻辑芯片容纳超2000亿颗晶体管,推动半导体技术持续创新。 台积电指出,半导...
在2024年IEEE国际电子会议 （IEDM） 上，比利时微电子研究中心 （imec） 发布一款采用互补式场效晶体管 （CFET） 的全新标准单元结构，内置两列CFET组件，两者之间共享一层信号布线墙。这种双列CFET架构的主要好处在于简化制程和大幅减少逻辑组件和静态随机访问内存 （SRAM） 的面积—根据imec进行的设计技术协同优化 （D...
在5nm以下先进制程发展方向的探索中,国际半导体设备巨头应用材料AMAT也在晶体管器件研究上进行了布局,针对CFET器件的性能与MOS管结构的选择进行了研究,其成果发表于SISPAD 2020。CFET是一种在垂直方向上通过nMOS与pMOS的堆叠以达到面积缩小效果的晶体管结构,IMEC等知名研究机构认为这是3nm以下集成电路工艺的必然解决方案。
在5月16-17日于比利时安特卫普举办的ITF World 2023活动中,英特尔展示了未来路线。2024年的“Intel 20A”工艺节点将应用RibbonFET场效应管,预计2023将应用堆叠式CFET场效应管架构,使芯片制程小于1nm。
英特尔全新堆叠式CFET晶体管架构曝光，有望将制程推进至0.2nm 5月24日消息，近日在比利时安特卫普举行的...
【#imec推动7埃米制程 提出双列CFET结构#】比利时微电子研究中心 (imec) 本周在 2024 年 IEEE 国际电子会议 (IEDM) 中,发表基于互补式场效电晶体 (CFET) 的全新标准单元结构,内含两列 CFET 元件,两列间共用一层讯号布线墙,可在 7 埃米 (A7) 逻辑节点提供权衡可制造性和面积效率的最佳取舍。O网页链接 ...
与之前电晶体相比，CFET 结构的电晶体性能高、面积小，有助制造2纳米以下线宽的新一代半导体；此次开发的新型电晶体，预计应用在2024 年以后的先进半导体。日本产业技术综合研究所表示，相关技术在世界上是首次，规划未来3 年内向民间企业转让技术，实现商用化。台积电研发2 奈米制程技术，预计采用GAA 架构 晶圆代工龙头...
台积电高级副总裁兼联席COO张晓强在2024年度技术论坛上宣称,其公司已成功实现不同晶体管结构的集成,并在实验室制造了CFET(互补式场效应晶体管)。他预期这种新型器件将应用于尖端逻辑工艺和未来代的先进逻辑工艺,研发团队也正在研究引入新的材料以使单个逻辑芯片能容纳超过2000亿颗晶体管,助力半导体行业的持续创新。