Ce0.8Gd0.2O2-δ氧化钴掺杂致密度电导率采用低温燃烧法制备了 Ce0.8Gd0.2O2-δ(CGO)及掺杂2.0mol%CoO1.333的CGO(2Co-CGO),研究了掺杂Co3O4对CGO密度和电导率的 影响.实验发现,由于烧结过程中粘性流动烧结的发生,掺杂Co3O4后可在一定的温度范围内使样品致密度提高;经SEM分析,1100℃烧结5h的 2Co-CGO晶粒生...
其出色的OER性能归因于三个方面:(1)[Fe(CN)6]3-阴离子交换及H+刻蚀效应促使ZIF-67变为中空结构,有效增加了比表面积,促进活性位点的暴露;(2)Fe掺杂导致Co价态升高、O- Vacancy浓度增加,增强了对含氧中间产物的吸附,并促进了C...
我们首先通过电沉积合成Co(OH)2前驱体,Co(OH)2前驱体在硝酸铋的乙二醇溶液中进行离子交换并通过后续的煅烧过程合成了Bi掺杂的Co3O4纳米片阵列(Bi-Co3O4)。TEM-EDS mapping表明Bi-Co3O4中Bi元素的均匀分布,其含量为1.47 wt%。...
一种棒状结构的电催化材料Ce掺杂Co3O4材料制备方法及应用,属于电催化固氮领域.棒状结构为直线棒状结构,是由纳米颗粒组装而成的,径向范围尺寸为50100nm,长度方向为200nm2μm,长径比为(815):1.包括前驱体机械混合,水热得到的固体离心洗涤真空干燥马弗炉煅烧得到Ce/Co3O4纳米棒.本发明主要用于制备Ce/Co3O4电...
本发明公开了一种交织网状聚(5硝基吲哚)/Ce掺杂Co3O4复合物电极的制备方法和应用,属于纳米材料制备技术领域.上述方法包括Ce掺杂Co3O4前驱体的制备,Ce掺杂Co3O4纳米片制备和聚(5硝基吲哚)/Ce掺杂Co3O4纳米复合物的制备.本发明采用5硝基吲哚单体和化学沉淀法制备的Ce掺杂Co3O4纳米片作为原料,结合电化学共沉积...