ESD STM5.3.1标准扩展了JESD22-C101的CDM分级,具体见其标准中之Table 2,如下: ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2018标准中的一些关键有用信息: 一,CDM ESD Tester Figure 1 represents the hardware schematic for a CDM tester setup to conduct field-induced CDM ESD testing assuming the use of a resistive curre...
设计窗口缩小了约2.7倍,从350nm降至45nm,而ESD目标保持不变。为了减小ESD设计窗口,要么需要更大的ESD器件来将电压箝位到更低的水平,要么需要随着技术规模的扩大,对ESD器件进行重大创新。 增加ESD器件尺寸来补偿设计窗口的缩放是不切实际的,主要有两个原因: 1)ESD器件/电路的面积分配在每个技术节点上都在缩小,2)...
CDM模型的敏感度分级 我国相关标准尚无规定CDM模型的敏感度分级,美国国家标准ANSI/ESD STM 5.3-1999,将CDM的静电敏感度划分为7级,如表4-9所示。 表4-9 器件CDM敏感度分级 等级 电压范围/V C1 <125 C2 125~<250 C3 250~<500 C4 500~<1000 C5 1000~<1 500 C6 1 500~<2000 C7 ≥2000...
CDM--ESD STM5.3.1:ESD分类等级如下 CDM--ESD STM5.3.1: CDM--JEDEC JESD22-C101-A 该标准做过一些变更 波形: 波形参数: CDM--JEDEC JESD22-C101-B ESD电压等级 CDM--AEC-Q100-011-REV-B CDM--AEC-Q100-011-REV-A CDM,HBM,MM在1000V下的对比:显然CDM模型放电更快,并且峰值电流也更高 ESD 2.3....
图六.GGNMOS和SCR的ESD失效分析SEM图像。 图七.45nm工艺下不同类型ESD失效SEM图像,a,c)HBM失效,b,d)CDM失效。 大量的实例都能看出CDM的失效全部集中在栅极。针对NMOS,正向电场下大量非平衡载流子(空穴)集中于衬底中,而当栅极接地后,栅电容两侧就会集聚大量正电荷,这部分载流子会抬高两边的电势差,当电势差过高时栅...
不同的ESD产生的原理不同:1.HBM模型。HBM是目前片级ESD防护比较成熟的模型。通过建立人体放电模型,仿真人体无保护直接接触芯片的情况。 图1.HBM放电模型 图2.HBM放电波形 图3.HBM等级 一般以电压来表达HBM等级,不同的IC根据使用场景对于HBM等级有不同的要求。而随着越来越规范的生产制度,HBM模型造成的失效比例在...
CDM--ESD STM5.3.1:ESD分类等级如下 CDM--ESD STM5.3.1: CDM--JEDEC JESD22-C101-A 该标准做过一些变更 波形: 波形参数: CDM--JEDEC JESD22-C101-B ESD电压等级 CDM--AEC-Q100-011-REV-B CDM--AEC-Q100-011-REV-A CDM,HBM,MM在1000V下的对比:显然CDM模型放电更快,并且峰值电流也更高 ...
若处理等级0A 物体(即低于125 伏特),须提高方案能力。基本上,为良好控制环境,以减少0A 等级ESD 损害发生的可能性,必须提高ESD 防护的重复性,作法是加入EPA ESD 控制物体;为确保它们正常运作,须增加这些ESD 控制物体认证检验频率,甚至采用更严格的限制条件。
测试项目:带电器件模型静电敏感度试验(ESD-CDM) 参考标准:ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 2018 测试条件:按照ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 2018;放电3次;±500V/±1000V/±1500V/±2000V; 试验接受条件:ESD-CDM 测试前后电流-电压曲线在参考电流下电压的改变量不超过30%以及包络线失效范围不超过±10% ...