CDM 波形对应于已知的最短 ESD 事件,上升时间为 400 ps,总持续时间约为 2 ns。 图7 HBM、CDM和MM的电流波形有明显差异 5、ESD抗扰度等级分类 设备的 ESD 敏感度可以定义为其通过的最高 ESD 测试电压和未通过的最低 ESD 测试电压。每种型号都有各自的分类,可根据 ESD 敏感度对设备进行分类(参见如下表格)...
ESDSTM5.3.1标准扩展了JESD22-A101的CDM分级,具体见其标准中之Table 2,如下: 五、结语 HBM、MM、CDM三种测试模型都是针对半导体器件受ESD影响而建立的。上述ESD测试模型的测试方法对元器件都具有破坏性。这些测试模型用于标定静电放电敏感半导体元器件的失效阈值。对于电子系统或整机产品的ESD测试标准则主要遵照“国际...
下图展示了CDM ESD敏感元器件的静电敏感度，该敏感度共分为6个等级，前缀C代表CDM的类别。CDM敏感度分为6个等级，提供操作时的明确参考，这些数据可供大家根据实际需求进行参考。▣ 实际操作中的应用 接下来，我们将探讨两种不同的充电方式：感应充电和直接充电。在第一张图中，我们展示了一个金属片如何通过手动...
器件的 ESD 等级一般按以上三种模型测试，大部分 ESD 敏感器件手册上都有器件的 ESD数据，一般给出的是 HBM 和 MM。通过器件的 ESD 数据可以了解器件的 ESD 特性，但要注意，器件的每个管脚的 ESD 特性差异较大，某些管脚的 ESD 电压会特别低，一般来说，高速端口，高阻输入端口，模拟端口 ESD电压会比较低。以...
电流等级的相关性 CDM的损坏机制通常是由于CDM峰值放电电流引起的片上电压降过大。因此,所有片上设计措施都解决了在关键位置(如跨薄栅极氧化物)避免这种过度电压降的问题。保护钳位的尺寸是基于必须安全通过的峰值电流水平的值。在CDM域中,这个峰值电流 水平可以超过HBM峰值电流一个数量级。在IO ESD器件开发的情况下...
若处理等级0A 物体(即低于125 伏特),须提高方案能力。基本上,为良好控制环境,以减少0A 等级ESD 损害发生的可能性,必须提高ESD 防护的重复性,作法是加入EPA ESD 控制物体;为确保它们正常运作,须增加这些ESD 控制物体认证检验频率,甚至采用更严格的限制条件。
CDM--ESD STM5.3.1：ESD分类等级如下 CDM--ESD STM5.3.1：CDM--JEDEC JESD22-C101-A 该标准做过⼀些变更 波形：波形参数：CDM--JEDEC JESD22-C101-B ESD电压等级 CDM--AEC-Q100-011-REV-B CDM--AEC-Q100-011-REV-A CDM,HBM,MM在1000V下的对⽐：显然CDM模型放电更快，并且峰值电流也更⾼ ...
不同的ESD产生的原理不同:1.HBM模型。HBM是目前片级ESD防护比较成熟的模型。通过建立人体放电模型,仿真人体无保护直接接触芯片的情况。 图1.HBM放电模型 图2.HBM放电波形 图3.HBM等级 一般以电压来表达HBM等级,不同的IC根据使用场景对于HBM等级有不同的要求。而随着越来越规范的生产制度,HBM模型造成的失效比例在...
图六.GGNMOS和SCR的ESD失效分析SEM图像。 图七.45nm工艺下不同类型ESD失效SEM图像,a,c)HBM失效,b,d)CDM失效。 大量的实例都能看出CDM的失效全部集中在栅极。针对NMOS,正向电场下大量非平衡载流子(空穴)集中于衬底中,而当栅极接地后,栅电容两侧就会集聚大量正电荷,这部分载流子会抬高两边的电势差,当电势差过高时栅...