实验中，MUNIT展现了多样化转换能力，如不同天气、场景和物体风格的互换。2. Disentangled Representations：这部分着重于分离表示，将潜在代码细化为内容和风格代码，确保不同领域共享内容而各自拥有独特风格。这解决了图像转换的一对多问题，增加了转换的多样性和内容描述的丰富性。3. CD-GAN与CDD：这两篇文...
我们知道,GAN的生成器的输入为一个已知分布Z的latent codez. 生成器把这个分布映射成另外一个分布,这个分布中的一个样本点就是G\left( z \right). 由于Unsupervised image to image translation涉及到的是2个domain之间的关系,即latent codez既要映射到domainX_1它的样本点是G_1\left( z \right),又要映射...
3. DRIT: 与MUNIT类似，共享内容空间和独享属性空间，采用内容图像和属性编码，解决了数据对缺失和输出单一的问题。DRIT通过不同的编码连接方式与MUNIT有所区分，展示了多种风格转换的结果。4. CDD: NIPS 2018上的工作，继续沿用隐空间和属性分离的策略，适用于多个领域的图像转换。5. CD-GAN: Multi M...
ΜετάβασηστοκύριοπεριεχόμενοΒοήθειαπροσβασιμότητας Οκαιρός σε Sirik County, Hormozgan, Ιράν21 Σήμερα Ωριαία 10 ημερών Ραντάρ...
ContactGAN development 鈥prediction of tire-pavement contact stresses using a generative and transfer learning modelXiuyu LiuAngeli JaymeImad L. AlQadi
Lordegan, 恰哈马哈勒-巴赫蒂亚里省, 伊朗 雷达图 我们的 Cookie,由您掌控。 The Weather Channel 使用此浏览器上的数据、Cookie 和其他类似技术来优化我们的网站,并根据您的 IP 地址的大致位置为您提供天气功能。如需了解更多信息,请参阅我们的隐私政策。 管理Cookie...
摘要 大尺寸非极性面GaN自支撑衬底制备方法,在HVPE生长系统中将铝酸锂衬底放入反应器中后,先生长缓冲层。温度为500-800℃,然后升温至生长温度开始生长GaN,生长温度1000-1100℃。生长至合适的厚度后,停止生长;冷却后获得完整的自支撑GaN衬底,铝酸锂衬底自动分离。本发明利用了铝酸锂衬底和GaN之间的小的晶格失配来获得...
GaN etching can be affected by a wide variety of parameters including plasma chemistry and plasma density. Chlorine-based plasmas have been the most widely used plasma chemistries to etch GaN due to the high volatility of the GaClxand NClxetch products. The source of Cl and the addition of ...
HMC-ALH444 放大器 功放 功率放大器 PA 低噪放 低噪声放大器 LNA . 卫星 导航 . . 定制 5G 微波芯片 微波射频器件 ADI Hitt ￥18.00 查看详情 HMC462 放大器 功放 功率放大器 PA 低噪放 低噪声放大器 LNA 微波射频器件 ADI Hittite 电子13所 电子十三所 中电科十 ￥18.00 查看详情 HMC-ALH445 放大...
Finally, a dual-phase interleaved GaN-based MHz totem-pole PFC rectifier is demonstrated with 99% peak efficiency and 220 W/in power density. 展开 关键词: Critical mode (CRM) MHz gallium nitride (GaN) interleaving totem-pole power factor correction (PFC) zero-voltage switching (ZVS) ...