CDSEM与SEM的区别 在材料科学、半导体制造和纳米技术领域,扫描电子显微镜(SEM)和临界尺寸扫描电子显微镜(CDSEM)是两种常用的高分辨率成像工具。尽管它们都属于扫描电子显微镜的范畴,但在应用目的、技术特性和测量精度上存在显著差异。以下是对这两种技术的详细比较: 一、基本原理 SEM: 扫描电子显微镜是一种利用聚焦电子束扫描样品表面,
2.量测精度的差异 CD-SEM注重于高精度和高速度的尺寸测量,通常配备有专门设计的电子枪、透镜和检测器,以实现在高吞吐率和高重复性下获得精确的线宽测量。CD-SEM 的测量重复性约为测量宽度的 1% 3σ。 3.自动化程度差异 CD-SEM与SEM的自动化操作步骤:将样品晶圆放入...
CD-SEM与其他品牌SEM的主要区别体现在以下三个方面: 电子束能量:日立CD-SEM照射样品的一次电子束能量较低,为1keV或以下。这可以减少电子束照射对样品的损伤,有利于晶圆进行下一步工序。 量测精度与重复性:日立CD-SEM注重高精度和高速度的尺寸测量,通常配备专门设计的电子枪、透镜和检测器。其...
CD-SEM与普通SEM的区别在于其专用于测量特征尺寸，特别适用于芯片制造中的线宽控制。CD-SEM使用低能量电子束扫描样品表面，以精确测量线宽、孔径等尺寸，而普通SEM则更多关注于图像质量和分辨率。CD-SEM配置专门设计的电子枪、透镜和检测器，以实现高精度、高速度的尺寸测量，并具有高度的自动化能力，适用于...
相比于当前依赖光学显微镜的测量技术，SEM展现出更卓越的分辨率与检测能力，同时相比扫描探针技术（SPM），在处理速度上具有显著优势。此外，SEM提供了多种分析模式，每种模式针对特定类型的样品、器件或电路，能够揭示其物理、化学及电学特性，提供独特而详细的信息。1 CD-SEM的基本结构 无论是实验室通用型还是用于集成...
同时,在集成电路制造中,多层制造需要对标记进行极高精度的检测"显然,光学的无损伤检测方式己无法应用于10nm尺度范围,因此基于能量束的检测方法是必须采取的方式"。目前工业界采用CD一SEM对小特征尺寸进行测量。
传统的SEM-CD与Sem-contour flow 出现了一种替代方法,其包括通过提取SEM轮廓来考虑图像中包含的所有边缘信息,如图1所示。获取更多的边缘信息通常意味着需要更少的SEM图像,因此可以大大缩短计量周期[1]。通过构造,SEM轮廓能够表征非常复杂的2D形状,而不受平行边对的限制。此外,扫描电镜轮廓提取生成多边形来描述一个模式...
与通用SEM不同的三个主要CD-SEM功能：照射到样品的CD-SEM一次电子束具有1keV或更低的低能量。 降低 CD-SEM电子束的能量可以减少由于充电或电子束辐照而对样品造成的损坏。通过最大程度地提高放大倍率校准，可以确保CD-SEM测量的准确性和可重复性。CD-SEM的 测量重复性约为测量宽度的1％3σ。晶圆上的精细...
CD-SEM使用SEM图像的灰度(对比度)信号进行测量。 光标(位置指示器)指定SEM图像上的测量位置。 获得指定测量位置的线轮廓,该轮廓指示所测特征的地形轮廓变化。 CD-SEM通过计算测量区域中的像素数自动计算尺寸。📋 关键尺寸测量主要在晶片制造工艺的以下操作中执行: ...