关注人工智能与其他前沿技术、基础学科的交叉研究与融合发展 微信扫一扫获取更多资讯 f-GAN GAN的一个变种,使用变分散度最小化训练生成式神经采样器的生成对抗网络 来源:f-GAN: Training Generative Neural Samplers using Variational Divergence Minimization
These probes add parasitic elements into the power loop, which modifies the switching behavior, especially when modern semiconductor devices, such as Gallium Nitride (GaN) transistors, are considered. Thus, with the purpose of precisely measuring switching losses, an opposition method test bench has ...
A novel transparent indium tin oxide (ITO) ohmic contact to n-type GaN (dopant concentration of 2 × 10 17 cm 3) with a specific contact resistance of 4.2 × 10 6 Ω cm 2 has been obtained. The interfacial properties involving with ITO to n-GaN ohmic contact are different from those ...
亲爱朋友们,大家期待已久的2025陕西省第三届“GAN杯”校园魔方联赛暨汉中市首届“天脑传奇”魔方等级评定赛将于1月1日在汉中吾悦广场正式拉开帷幕!这不仅是一场速度与智慧的激烈较量,更是一场充满激情与梦想的青春盛宴。来自全市各...
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Light extraction enhancement from GaN‐based thin‐film LEDs grown on silicon after substrate removal using HNA solution One of the promising methods to obtain high optical output power from LEDs grown on Si is to eliminate the absorptive Si substrate. In this paper, we repor... BZ Xin,L Hu...
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GaN 电子工程师 1、28--40岁,大专及以上学历,电子信息工程、电子科学与技术、电气工程以及自动化专业、电力电子专业,英语四级; 2、电源行业三年以上有经验,至少从事GaN(氮化镓BOSS直聘)来自BOSS直聘产品研发一年以上,并有成熟的产品推出市场; 3、直聘对GaN(氮化镓)产品的技术、测试、制程要求有较深入的了解,能接受配...
在这里,我们报告了一种通过引入石墨烯量子点(GQD)的核壳InGaN/GaN NW LED的光放大现象。当尺寸为5、10和20 nm的GQDs单独位于多量子阱中或同时位于多量子阱和p-GaN表面时,光致发光(PL)和电致发光(EL)强度显著增强,但当尺寸...