ER22S CTR4550 CTR2045 EBPJ12 EBP12 EBPJ10 EIS614S EIS516X EIS419X EIS516N EIS419N EIS614N EIS614X ESJB2864HT ESJB2864TH ESJB2864TT NA32 PD70L-1/10 PD50L-1/20 PD50L-1/30 PD70R-1/20 PDH80R-1/10 PDH100R-1/10 PDH125L-1/30 PDH160L-1/20 PDH100L-1/30 PDH80L-1/10...
ER22S CTR4550 CTR2045 EBPJ12 EBP12 EBPJ10 EIS614S EIS516X EIS419X EIS516N EIS419N EIS614N EIS614X ESJB2864HT ESJB2864TH ESJB2864TT NA32 PD70L-1/10 PD50L-1/20 PD50L-1/30 PD70R-1/20 PDH80R-1/10 PDH100R-1/10 PDH125L-1/30 PDH160L-1/20 PDH100L-1/30 PDH80L-1/10...
如甘氨酸、乙二胺是二齿配体,二乙基三胺是三齿配体,乙二胺四乙酸根是六齿配体,它们与中心原子形成环状配合物称为螯合物。▪举例:Cr(24):1S22S22P63S23P63d54S1(3d轨道填充10个电子才满)Cd(48):1S22S22P63S23P63d104S24P64d104f05S2(4f轨道 填充14个电子才满)ClH2O Cl- H2O Cl- H2O ...
MHB型半门式起重机,专业制造、SL手动单梁起重机、QD型双梁桥式起重机,电动双梁起重机,电动双梁桥式起重机、塔吊型号-塔吊建筑机械厂、bzd型柱式旋臂式起重机,壁柱式旋臂起重机、SQ型10吨手动双梁起重机、SL型2吨手动单梁起重机、防爆双梁抓斗桥式起重机,制动单梁起重机、起重端梁/端梁/行车端梁/天车端梁/...
正确的电子分布式 1s22s22p1 1s22s22p63s23px23py13pz1 1s22s22p63s23p63d54s2 1s22s22p63s23p63d104s1 (6)原子序数为 35 的元素,其基态原子的核外电子分布式为 1s22s22p63s23p63d104s24p5 , 用原子实表示为 [Ar]3d104s24p5 ,其价电子构型为 4s24p5 ,价电子构型的轨道表示式为 4s 4p ;该元素位...
(亦即第一条谱线的波数)为: 2B B 为转动常数: B h 8 2Ic 由题意知,H79Br 分子的转动常数为 B=16.94cm-1/2=8.470 cm-1 I 所以,其转动惯量为: h 8 2Bc 8 2 6.6262 1034 J s (8.470 102 m1) (2.9979 108 m s1) 3.3081047 kg m2 H79Br 的约化质量为: mH mBr 1.6431027 kg mH mBr 所以...
-- https://wowhead.com/beta/spell=164815 sunfire = { id = 164815, duration = 18, type = "Magic", max_stack = 1 }, -- Talent: Damage taken reduced by $50322s1%. -- https://wowhead.com/beta/spell=61336 survival_instincts = { id = 61336, duration = 6, max_stack = ...
SNL322522S-R82J-T ETS06012435A04 电子元器件 VENKEL 封装SMD 批号06+ -- 1999 VENKEL SMD 06+ ¥0.5000元>=1 个 深圳市梓鑫盛科技发展有限公司 1年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 MAL1 UV0089E P9MR99.00 UTE002B-A8001 TMJJ06E-T3D5DNAAP UN144356508KGM01NEA 电子元器件 NA 封装BGA 批号...
采购项目需要落实的政府采购政策 本项目支持政府采购促进中小企业发展政策、政府采购支持监狱企业发展政策、促进残疾人就业政府采购政策、扶持不发达地区和少数民族地区等相关政策;详见招标文件。 本项目的特定资格要求 3.1、信用情况:供应商在“中国执行信息公开网”(http://zxgk.court.gov.cn/shixin/)没有被列入失信被...
4.1.1MOSFET的结构与工作原理 MOSFET——Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffectedTransistor 增强型〔常关闭型)金属PM氧OS化物半导体场效应晶体管 耗尽型〔常开启型)MOSFET 增强型〔常关闭型)NMOS 耗尽型〔常开启型)D——漏极DrainG——栅极GateS——源极SourceB——衬底Bulk 图4-1NMOS结构示意图 压控四端有...