GaN HEMT和低压(20?40V)矽FET的Cascode连接如图1所示,Cascode就像工作电压范围被GaN HEMT扩展了的低压矽FET。GaN HEMT与矽FET的漏极相连,将电压范围扩展到600V之高。因为HEMT的闸极与矽FET的源极相连,所以矽FET的VDS就成了GaN HEMT的负VGS,从而自动提供必要的负偏压以实现关断操作。该结构有助于缓解任何闸极驱...
摘要为了减小氮化镓驱动电路高频工作时的损耗,针对共栅共源氮化镓高电子迁移率晶体管(Cascode GaN HEMT)提出一种高频谐振驱动电路,采用储能元件替代传统驱动电路中的耗能元件,电感电流为GaN器件栅极电容充/放电,有源密勒钳位电路抑制桥臂串扰。该文重点研究高频谐振驱动电路的工作模态,对电路损耗进行详细分析,给出电感取值...
GaN HEMT和低压(20?40V)矽FET的Cascode连接如图1所示,Cascode就像工作电压范围被GaN HEMT扩展了的低压矽FET。GaN HEMT与矽FET的漏极相连,将电压范围扩展到600V之高。因为HEMT的闸极与矽FET的源极相连,所以矽FET的VDS就成了GaN HEMT的负VGS,从而自动提供必要的负偏压以实现关断操作。该结构有助于缓解任何闸极驱...
为驱动高电压的GaN HEMT,通常串联使用耗尽型GaN HEMT,以及低压SiMOSFET,使用Cascode结构完成。 本文选取Transphorm公司的高压Cascode型 GaN HEMTTPH3006,由耗尽型高压GaN HEMT,与IRF8707串联,最大通态电流17A,最大耐压600V。 1.2Cascode型GaN HEMT输出伏安特性 在Cascode型GaN HEMT中,串联使用高压耗尽型GaN HEMT,以及...
1、cascode GaN 续流通过低压Si FET的体二极管,由于是低压器件注入电荷非常小。当低压硅FET门极被抬高后,反向电流5A时只有0.8V。如下图。 2、与超级结Si MOSFET反向恢复特性对比 3、为了最小化转换过程中的振铃,尽量减小suply node的环路电感。对与含有输出电感的的拓扑,半桥的Lout没有减小的必要。但HEMT的高端...
图1 GaN HEMT和低压矽FET的cascode连接示意图 体二极体特性 Cascode GaN FET具有出色的体二极体行为。这是600V GaN Cascode开关的主要特性和优势之一:与绝缘闸双极性电晶体(IGBT)、Super-junction FET或其他矽FET相比,GaN Cascode的反向恢复电荷(Qrr)要出色得多(与SiC肖特基二极体相似)。随着温度的变化,测量的Qrr...
这种级联结构的GaN,其工作状态基本如下: Forward Blocking 正向阻断 VGS=0, 0 < VDS < -Vt,GaN。 在Vgs=0,硅MOSFET是处于关断状态的,没有电流流过硅MOSFET和 GaN HEMT的通道,由于Vds < -Vt,GaN , Id ~0,这个时候,VDS,Si = VDS,在这种工作条件下,整个器件的漏极电压Vds是被 Si MOSFET 阻断。
GaN HEMT的自然操作模式是常态导通的耗尽型晶体管。但功率变换电路中习惯使用常态关断的器件,并且从安全的角度来看常闭也具备很多优点。因此,需要解决GaN HEMT的常态开通问题,以提供常态关断的操作。目前有两种主要方法来解决这个问题。一是改变器件的结构,使其在增强模式(e-mode)下工作。第二种是使用堆叠芯片封装的共...
1、本发明的目的在于克服现有gan hemt器件在algan/gan界面处产生感生二维电子气浓度不足以及漏电的问题,提供了一种实现cascode模式的gan hemt功率器件。 2、本发明的目的是通过以下技术方案来实现的: 3、在一个方案中,提供一种gan hemt功率器件,包括从下至上依次连接的第三衬底、第二中间层、缓冲层、gan层和algan...
GaN HEMT特性应用单相全桥逆变器电路新能源并网技术的进步,对电力电子器件的性能提出了更高的要求.传统电力电子器件逐步逼近理论极限.宽禁带半导体氮化镓材料(GaN)是第三代半导体材料的典型代表,有许多硅材料不具备的优异性能,在军事,民用等领域应用前景广阔.近年来,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)被相继推出,受到广泛的...