CAB016M12FM3T CAB011M12FM3 CAB011M12FM3T CAS120M12BM2 WAS175M12BM3 CAS175M12BM3 CAS300M17BM2 CAS300M12BM2 WAB300M12BM3 WAS310M17BM3 CAS310M17BM3 WAS350M12BM3 CAS350M12BM3 WAB400M12BM3 CAB530M12BM3 CAS530M12BM3 WAS530M12BM3...
CAS120M12BM2 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 额定功率 925 W 漏源极电阻 0.013 Ω 极性 Dual N-Channel 耗散功率 925 W 阈值电压 2.6 V 漏源极电压(Vds) 1.2 kV 连续漏极电流(Ids) 193A 上升时间 34 ns 输入电容(Ciss)
CAS120M12BM2 系统优势 • 从 62 毫米 IGBT 封装过渡所需的开发时间最短,开发时间最短 • 由于 SiC 的低开关和传导损耗,提高了系统效率 技术特点 • 行业标准 62 毫米尺寸 • 超低损耗、高频操作 • 二极管的零反向恢复 • MOSFET 的零关断尾电流 ...
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