ofet管包括栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极,2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(c8-btbt)是目前p型ofet管有源层的重点选用材料,以c8-btbt制备的ofet管性能优良,完全可以达到甚至超越非晶硅晶体管的水平。但是,用c8-btbt制备ofet管有源层一般采用液相法,所述液相法就是将c8-btbt溶解在溶剂中,用...