首先C3N4不像石墨烯一样形成一大块的离域大π键，它的电子只离域在3-s-3嗪结构中(上图的1/3)，...
内容提示: 删324删083必 Y,分类号:0469密级:⑧单位代码:10422学 号:201411391∥茹夕;孥SH^NDONG LINlVERS ITY硕士学位论文Thesis for Master Degree论文题目:表面修饰对g—C3N4材料的结构、电子性质和光催化性能的调控The modulation ofthe structure,electronic andphotocatalyticproperties for g-C3N4 bvsurface ...
近年来,石墨型氮化碳(g-C3N4)作为一种n型半导体光催化剂材料,由于具有较好的热稳定性和化学稳定性,同时具有可调的带隙结构和优异的表面性质而备受人们关注.然而,传统... 安华,林波,薛超,... - 《Chinese Journal of Catalysis》 被引量: 0发表: 2018年 基于亚纳米孔修饰策略实现g-C3N4二维纳米材料电子结构的...
06 比如对于C3N4来说，我就想把金属离子放到空腔中，他与周围的六个氮配位，那咋加电子啊，再说电子以...
硫氰根选择性吸附在g-C3N4/Ag表面增强其光催化制氢性能 作为一种无金属的新型半导体材料,g-C3N4因具有稳定的物理化学性质及合适的能带结构而引起人们的关注.理论上g-C3N4完全满足水分解的电势条件.然而研究发现,g-C3N4材料... 陈峰,杨慧,罗玮,... - 《催化学报》 被引量: 4发表: 2017年 ...