调控g-C3N4的带隙是提高其光催化性能的关键。通过掺杂、构建异质结等方法,可以有效地调控g-C3N4的带隙和电子结构,提高其光吸收范围和光催化活性。这些研究为g-C3N4在光催化领域的应用提供了重要的理论和实践基础。未来,随着对g-C3N4带隙调控机理的深入研究和技...
g-C3N4是一种由碳和氮组成的二维材料,其带隙为2.7eV,使其能够响应吸收太阳辐射中波长小于475nm的蓝紫光能量。此外,其价带顶电位满足氧化水制取氧气的电位要求,而导带底电位满足还原水制取氢气的电位要求。这些特性使g-C3N4成为一种有吸引力的光催化剂。 二、g-C3N4的缺点 ...
P、Cu降低CN带隙,促进C-C耦合,导致C2H6产率高达616 umol/gh。 正文: C3N4具有较好的光催化CO2还原性能。C3N4负载单原子后能够进一步优化产物的选择性。C-C耦合的限制导致了C2产物相对于C1产物更难实现。因此,本文研究C3N4负载P、Cu单原子光催化CO2还原的性能。 作者制备C3N4负载Cu、P单原子结构催化剂(P/Cu@CN)...
在实验上，g-C3N4带隙被测出为~2.7eV。但是在计算上，我翻了一堆文献，引来引去，就是找不到一篇...
硫原子掺杂优化g-C3N4能带结构已被广泛报道,但大多数S掺杂只能使g-C3N4的带隙减小不超过0.2 eV,相应的光吸收提高仅约36 nm。近日,西安工程大学李云锋副教授、东北师大邢艳教授以及长春应化所宋术岩研究员以硫代乙酰胺为硫源和封端剂,首次制备了带隙可调的S掺杂端甲基化g-C3N4纳米片(SMCN)。实验结果和DFT计算表...
利用DMOL3和CASTEP计算g-C3N4的带隙比实验值低很多是正常的吗？？计算的只有一点几，实验值是2.7 真空...
独特的分层设计可拦截污染物于CNTs-PAA层之外并保留在CNMS之间,使污染物与CNMS完全接触。此外,相较于传统的g-C3N4基滤膜,CNTs-PAA/CNMS光催化膜具有更小的带隙(1.77 eV),可通过可见光辐照产生活性氧降解污染物,从而防止污染物在膜表...
直接半导体。为具有与碳材料相似的层状堆积结构和sp2杂化的π共轭电子能带结构，石墨相的氮化碳(g-C3N4)是一种直接带隙半导体。石墨相氮化碳（g-C3N4）作为一种极具发展前景的无金属光催化剂，可用于多种用途，如能源转化、废水处理或有机合成等。
想用DRS求g-c3n4的光学带隙,以前一直以为是直接带隙半导体,最近看了一篇大牛的综述,说是间接带隙半导体,于是迷茫了各位大神,一起讨论讨论
联交所主板样品相比 g C3N4 观察到平波段潜在的阳极转变反映由于与广管局共聚改动。可以通过使用从 (ahv) 2 与光子能量情节比较确定的带隙确定带结构 (图 2a 的插图)。 翻译结果4复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 Intel®Centrino流动运算技术变化对单位波段可能观察到的CNB样本比较,G-C3N4反映改建由于科研所集中...