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封装/ 箱体 SOIC-8 晶体管极性 P-Channel 通道数量 1 Channel Vds-漏源极击穿电压 30 V Id-连续漏极电流 29 A Rds On-漏源导通电阻 5 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压 1 V Qg-栅极电荷 129 nC 最小工作温度 - 55 C 最大工作温度 + 150...
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