Wolfspeed 1700 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 可实现更小、更高效的电源转换系统。与基于硅的解决方案相比,Wolfspeed 碳化硅技术可提高系统功率密度、更高的开关频率、更小的设计、更凉爽的组件、减小电感器、电容器、滤波器和放大器、变压器等组件的尺寸,并提高总体成本效益。 特征 高阻断电压和低 RDS(on) 低电容高速开...
型号 C2M1000170J 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格,...
型号:C2M1000170J --- 产品参数 --- 漏源电压1700V 栅极- 源极电压-10/+25 栅极- 源极电压-5/+20 脉冲漏极电流15A 功耗69W 工作结温和存储温度-55to+150˚C 焊接温度260˚C --- 产品详情 --- C2M0045170D为1700 V 分立碳化硅 MOSFET。为下一代电源转换提供更快的开关和更高的可靠性。1700 V...
类似零件编号 - C2M1000170J 制造商部件名数据表功能描述 Cree, IncC2M1000170D 620Kb/7PSilicon Carbide Power MOSFET Z-FETTM MOSFET WOLFSPEED, INC.C2M1000170D 918Kb/11PSilicon Carbide Power MOSFET C2M TM MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode ...
产品规格 型号 C2M1000170J 阻断电压 1700V 阻抗(Ron) 1000mΩ 额定电流 5A 总栅极电荷 22nC 输出电容 17pF 功率Ptot 69W 封装 TO-263-7下载C2M1000170J.pdf规格书 产品优势 宽禁带第三代半导体碳化硅功率器件碳化硅(SiC)功率器件与传统硅功率器件相比,拥有更低的导通电阻特性以及出色的耐温工作环境、更高的...
C2M1000170J 概述 Silicon Carbide Power MOSFET C2M1000170J 数据手册通过下载C2M1000170J数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。 PDF下载 VDS ID RDS(on) 1700 V 5.3 A @ 25˚C C2M1000170J 1.0 Ω Silicon Carbide ...
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制造商型号: C2M1000170J 制造商: CREE (科锐) 产品类别: 晶体管-FET,MOSFET-单个 商品描述: MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 供货: 货期 工作日(7-10天) 渠道: digikey 服务: 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 客服: 立即咨询 询价 提示: 联系在线客服,获得更多C2M1000170J价格库存等采购信息!
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