制造商CREE [Cree, Inc] 网页http://www.cree.com/ 标志 功能描述SiliconCarbidePowerMOSFETZ-FETTMMOSFET 类似零件编号 - C2M0080120D 制造商部件名数据表功能描述 Cree, IncC2M0080120D 482Kb/2PCREE Silicon Carbide MOSFET Evaluation Kit WOLFSPEED, INC.C2M0080120D ...
WOLFSPEED C2M0080120D 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31.6 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 20 V, 3.2 V查看详情 TO-247-3 8周 在产 2013年 ¥188.911 数据手册(9) 器件3D模型 规格参数 更多代替型号 反馈错误 by FindIC.com 价格库存 规格参数 数据手册 ...
Part #: C2M0080120D. Download. File Size: 869Kbytes. Page: 9 Pages. Description: Silicon Carbide Power MOSFET Z-FETTM MOSFET. Manufacturer: Cree, Inc.
Manufacturer: Wolfspeed Category: High Voltage MOS Transistor Case Package: TO-247-3 Description: TO-247 N-CH 1200V 36A Documentation: C2M0080120D Datasheet PDF (9 Pages) Hot Package Outline Dimension on P9 Package Footprint Pad Layout on P9 ...
厂商: WOLFSPEED 封装: TO-247-3 描述: C2M0080120D 数据手册: 下载C2M0080120D.pdf 立即购买 C2M0080120D 数据手册 / 10 当前在看 1 C2M0080120D Rev. D, 09-2019 C2M0080120D Silicon Carbide Power MOSFET C2 M TM MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode ...
通过下载C2M0080120D数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。 PDF下载 VDS ID RDS(on) 1200 V 31.6 A 80 mΩ @ 25˚C C2M0080120D Silicon Carbide Power MOSFET Z-FETTM MOSFET N-Channel Enhancement Mode Features ...
在产 2006年 ¥116.034 数据手册(8) 器件3D模型 规格参数 更多代替型号 反馈错误 by FindIC.com 价格库存 规格参数 数据手册 C2M0080120D 全球供应商 全球供应商 (2家) 刷新货币单位: 需求数量: -+ 含%增值税 供应商发货地库存数量交期(天)MOQ货币1+10+100+1K+10K+购买 ...
预览PDFDownloadHTMLChat AI 部件名C2M0080120D 功能描述SiliconCarbidePowerMOSFETZ-FETTMMOSFET 文件大小869.12 Kbytes Html View123456789 制造商CREE [Cree, Inc] 网页http://www.cree.com/ 标志 C2M0080120D : Silicon Carbide Power MOSFET Z-FETTM MOSFET ...
型号:C2M0080120D PDF下载:下载PDF文件查看货源 内容描述:碳化硅功率MOSFET Z- FETTM MOSFET [Silicon Carbide Power MOSFET Z-FETTM MOSFET] 分类和应用: 文件页数/大小:9 页 / 869 K 品牌: CREE [ CREE, INC ] @ 25˚C C2M0080120D Silicon Carbide Power MOSFET ...
包装方式 管装 商品毛重 8.05克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录碳化硅场效应管(MOSFET) 沟道类型1个N沟道 漏源击穿电压(Vds)1200V 属性参数值 连续漏极电流(Id)36A 耗散功率(Pd)192W 数据手册PDF 放大查看下载PDF 梯度价格