半导体功率器件C-V特性测试系统 概述 电容-电压(C-V)测量广泛用于测量半导体参数，尤其是MOS CAP和MOSFET结构。MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线（简称C-V特性），C-V 曲线测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷...
RampRate值设置为0.7V/s。在这种情况下,一个更大(1V/s)的RampRate将产生一个更慢的曲线,但将有更少的数据点。较小的波动率(0.1V/s)将产生具有大量数据点的更多的噪声曲线。需要进行实验,以确定被测试的被测器件的最佳设置。 一旦器件连接到两个smu,并使用所需的输...
C-V测量讲义
直流电压范围 0.2 µV - 210 V 分辨率 1 kHz 到 10 MHz 直流电流范围 10 aA - 1A 品牌 Keithley 吉时利 用途 半导体分析仪 电容电压范围 1 kHz - 10 MHz ± 30V 直流偏置 5 ns采样率 200 MSa/s 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也...
图16显示了由4200A-SCS中测试MOSFET上高达400V的C-V扫描图。差分电压为一个计算值。区别在于漏极和源...
二极管C-V特性测试.pdf,半导体器件测量实验 现代二极管C-V特性测量与分析 一.实验目的与要求 1. 通过7nm微纳电子器件教学套件对二极管进行C-V 特性曲线测量, 进一步加深理解二极管C-V 特性。 2. 通过7nm 微纳电子器件教学套件进一步了解二极管电容。 3. 通过改变测量条件,
吉时利2450型触摸屏数字源表是一款集I—V特性测试、曲线追踪仪和半导体分析仪功能于一体的低成本数字源表。吉时利2450丰富的功能也让它非常适合集成到自动测试系统中: ●嵌入式测试脚本处理器 (TSP):它将完整的测度程序加载到仪器的非易失性存储器,无需依赖外部PC控制器,产能更高。
用循环伏安扫描，电极的制备要看你的样品是什么，条状和块状有所不同，参数有扫描速率，扫描电压范围和...
软件根据测量的参数来计算电容作为电压的函数,并在4200A-SCS的显示器上显示曲线。本应用指南说明描述了如何使用4200A-SCS和斜坡方法来实现和优化准静态C-V测量。(前提是用户能熟练使用Keithley 4200A-SCS进行I-V测量。) IV/CV参数测试相关直播回顾 斜坡法 ...
某一偏压V 下的结电容就应该在这一偏压下加一足够的交流电压。实验中我们家的交流 电压为几mV 到十几mV。2、扣除分布电容 Cs 我们用上述方法测到的Cx 实际上包括了两部分，一部分是P-n 结电容，另一部分是分 布电容Cs。在测得Cx 后，必须扣除分布电容Cs 才是真正的P-n 结电容。为扣除Cs，取...