实测在i9-10900K+微星MEG Z490 ACE主板平台上，龙耀D50 3600MHz内存可以在1.5V的电压上超频到4500MHz 20-25-25-56 CR2，内存的读写速率都超过了60GB/s，延迟仅有46.7ns，这样的超频表现基本已经超过大多数三星B-die颗粒的内存了，比如幻光戟。在性能强劲的同时，XPG龙耀D50集成了10颗RGB灯珠，在通电后的灯...
除此以外,它还被广泛配备在OEM领域:不少笔记本原装内存,正使用了三星C-Die。颗粒丝印上的“5WC”字样,便是最好的证明。 京东 三星SAMSUNG笔记本内存条16GDDR42666频率内存条 ￥799 去购买 后记 总体来看,三星Cdie没能延续前辈的威名:奇特的电压缩放特性,令Cdie冲击高频的梦想化作泡影;良率问题困扰着三星,也多少...
南亚C-DIE并没有继承南亚B-DIE低时序的特点,水平只能算海力士JJR级,而南亚B-DIE不耐压的问题到继承的很好。且南亚C-DIE对AMD平台不太友好。所以南亚C-DIE不是个好的超频颗粒。当然也不排除是我这条体质差,毕竟样本有限。
实测在i9-10900K+微星MEG Z490 ACE主板平台上,龙耀D50 3600MHz内存可以在1.5V的电压上超频到4500MHz 20-25-25-56 CR2,内存的读写速率都超过了60GB/s,延迟仅有46.7ns,这样的超频表现基本已经超过大多数三星B-die颗粒的内存了,比如幻光戟。 在性能强劲的同时,XPG龙耀D50集成了10颗RGB灯珠,在通电后的灯光效果...
一、前言:特挑颗粒 不输三星B-DIE 在很多时候,内存带宽是影响整机系统的瓶颈所在。AMD为了缓解这个问题,每一代Zen构架处理器都在不断增加三级缓存容量,以增加CPU对于缓存的命中率,减少对内存的依赖。 不过无论L3缓存有多大,CPU直接读取内存数据依旧不可避免,此时CPU的运行效率会不可避免地大幅度降低,因此在一些对于...
本次测试是将这个非常鸡肋的三星C-die 超上3733C18由于三星自家的C-die 颗粒不像B-die非常吃电压,轻松上4000+。电压就成了Cdie最让人诟病的一个参数所以我们线要找到内存的最佳电压,我一开始就在1.375V往上试,然后我就发现根本稳不了1.4V以上直接开不了机了,这时候我将低电压却发现它奇迹般的稳了 最终我把...
除此以外,它还被广泛配备在OEM领域:不少笔记本原装内存,正使用了三星C-Die。颗粒丝印上的“5WC”字样,便是最好的证明。 后记 总体来看,三星Cdie没能延续前辈的威名:奇特的电压缩放特性,令Cdie冲击高频的梦想化作泡影;良率问题困扰着三星,也多少影响了颗粒的时序压制能力。
海力士的特挑颗粒在一定程度上可媲美甚至超越三星B-DIE,配合好主板板可以超频到4400MHz乃至4500MHz。D50 3600MHz内存预设了两种XPG模式,分别是3200MHz 16-18-18-36、3600MHz 18-20-20-42,电压均为1.35V,基础玩家可以根据自己的实际情况在BIOS中进行选择。
内存XMP为3600 18-22-22-42 1.35V,台风识别是三星C-DIE颗粒(因为SPD 352位填了) 超频测试(关闭GDM跑真2T) 测试平台:CPU锐龙4750G主板:ROG C8I BIOS版本:2206 3600频率下1.35V电压时序可压到18-21-21-28 加压到1.45V时序可降到16-21-21 4000频率下1.35V电压时序可压到19-23-23 ...
【特挑海力士C-DIE颗粒!XPG 龙耀D50 3600MHz内存评测:稳超4500MHz】D50采用了的特挑海力士特挑CJR颗粒(C-DIE),预设频率是3600MHz 18-20-20-42,相对比较保守。但它可以在1.5V的电压上超频到4500MHz 20-25-25-56 CR2,内存的读写速率都超过了60GB/s,延迟仅有46.7ns, °特挑海力士C-DIE颗粒!XPG 龙耀D50 ...