BVCBO是指发射极短路、集电结反偏,当集电极电流时的VCB 参考答案:错 点击查看答案进入小程序搜题你可能喜欢控制的最高境界是( )。它能够在事故发生之前就采取有效的预防措施,以防患于未然。 A. 前馈控制 B. 现场控制 C. 即时控制 D. 反馈控制 点击查看答案进入小程序搜题 以下三个钢筋的牌号中哪一个...
百度试题 题目什么是BVCBO和BVCEO?相关知识点: 试题来源: 解析 答:BVCBO:发射极开路,集电极与基极之间的击穿电压。——开发射极击穿电压 BVCEO:基极开路,集电极与发射极之间的击穿电压。——开基极击穿电压反馈 收藏
必应词典为您提供BVcbo的释义,网络释义: 反压;反向击穿电压;
1、发射极开路，基极-发射极反向击穿电压，记为BVCBOBVCBO即为集电结的雪崩击穿电压，当M→∞时的集电结电压。已知PN结的雪崩倍增因子M可以表示为：M11 xd 0 idx 它表示进入势垒区的原始电流经雪崩倍增后放大的倍数。在工程实际中常用下面的经验公式来表示当已知击穿电压时M与外加电压之间的关系：M...
光耦是一个LED发光二极管和一个光敏三极管组成，三极管感光后HFE变大，光信号转化为电信号。其实测试三极管的BVCBO（发射极断路，集电极和基极间的反向击穿电压）是没有实际意义的；应用中是用不到的，BVCEO还是用得到的；
1、发射极开路，基极-发射极反向击穿电压，记为BVCBOBVCBO即为集电结的雪崩击穿电压，当M→∞时的集电结电压。已知PN结的雪崩倍增因子M可以表示为：M11 xd 0 idx 它表示进入势垒区的原始电流经雪崩倍增后放大的倍数。在工程实际中常用下面的经验公式来表示当已知击穿电压时M与外加电压之间的关系：M...
( )的集电结反向电压VCB称为共基极集电结雪崩击穿电压,记为BVCBO。 A. 发射极开路时,使 B. 基极开路时,使 C. 集电极极开路时,使 D. 发射极开路时,使点击查看答案 你可能感兴趣的试题 多项选择题()是网络营销定价的特点。 A.价格比较低廉B.用户掌握了定价的自主权C.价格需求弹性大D.企业拥有较大的...
BVcbo>BVceo>BVebo 首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态,故BVebo反向击穿电压要求不高,通常BVebo<20V,是最低的。 其次,反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流Icbo经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流Iceo,故Iceo=βIcbo,而BVceo就小于BVcbo。
三极管的三个反向击穿电压的关系应该是BVcbo>BVceo>BVebo。首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态,故BVebo反向击穿电压要求不高,通常BVebo<20V,是最低的。其次,反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流Icbo经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流Iceo,故Iceo=βIcbo,而BVceo就小于BVcbo。
例如,采用高掺杂的硅材料可以降低饱和迁移率,从而提高BVCBO和BVCEO。 优化工艺参数:通过优化工艺参数,如控制基区宽度、降低掺杂浓度、改善热处理条件等,可以有效地提高BVCBO和BVCEO。 引入新结构:采用新结构,如多层结构、倒装结构等,可以改变电流路径,降低电阻和电容效应,从而提高BVCBO和BVCEO。 综上所述,通过优化材料...