当半导体重掺杂时，费米能级进入导带，本征光吸收边向高能方向移动的现象称为Burstein-Moss效应。通常发生在半导体重掺杂时。
MOSS-BURSTEIN EFFECT (Expt. B1O) The Moss-Burstein effect results from the Pauli Exclusion Principle and is seen in semiconductors as a shift with increasing doping of the band-gap as defined as the separation in energy between the top of the valence band and the unoccupied energy states in...
氩气流中退火的薄膜进行透射,反射和Hall效应的测量和分析发现,随着衬底温度的降低,载流子浓度呈上升趋 势,而吸收边呈现先是"蓝移"然后"红移"的现象.从理论上阐述了高浓度的点缺陷对CIO氧化物薄膜的能带产生 的重要影响,这些影响主要体现在带尾的形成,Burstein-Moss(B—M)漂移和带隙收缩.另外,衬底温度的变化将对...
Moss-Burstein effect 莫斯-布尔斯坦效应 下载文档 收藏 打印 转格式 1273阅读文档大小:1.43M7页pmnwan上传于2010-01-18格式:RTF 人工智能基础(第2版) x2d;高济 x2d;ai x2d;4 x2d;本 热度: 计算机知识windows系统:开始--运行--命令大全0421050529第一期 ...
当半导体的费密能级进入导带,本征光吸收边就会向短波方向移动,这就是Burstein-Moss效应。对Hg_(1-x)Cd_xTe半导体尚未见到有关研究报道。我们采用三个不同组份、高电子浓度的Hg_(1-x)Cd_xTe薄样品:x=0.165,N_D~*=4×10~(16)cm~(-3),d=10μm;x=0.17,N_D~*=5.85×10~(15)cm~(-3),d=9μm;...
1)Moss-Burstein effectMoss-Burstein效应 1.The major factors are as follow:Moss-Burstein effect,deep level trapping phenomenon and N∶In stoichiometry etc.影响InN材料带隙的主要因素有Moss-Burstein效应、深能级俘获现象以及N∶In化学计量比等,得出在不同质量样品和不同生长条件下,3种因素均影响InN材料的带...
简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费密能级和Burstein-Moss效应(详细摘要) 褚君浩 Full-Text Cite this paper Add to My Lib Abstract: 本文讨论了Hg_(1-x)Cd_xTe窄禁带半导体在费密能级筒并情况下,本征载流子浓度计算公式的应用,并计及导带电子浓度的非抛物带修正因子,计算了简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费...
Moss-Burstein effect 莫斯-布尔斯坦效应 MOSS-BURSTEINEFFECT(Expt.B1O)TheMoss-BursteineffectresultsfromthePauliExclusionPrincipleandisseeninsemiconductorsasashiftwithincreasingdopingoftheband-gapasdefinedastheseparationinenergybetweenthetopofthevalencebandandtheunoccupiedenergystatesintheconductionband.Theshiftarises...