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BT138-800E可控硅通常采用三极引脚配置,即包含阳极(Anode)、阴极(Cathode)以及控制极(Gate)这三个基本部分。具体的引脚排列顺序可能因封装形式和生产厂家的不同而有所差异,因此在具体使用时,应参考产品手册或咨询供应商,以确保正确的引脚连接。 二、BT138-800E可控硅主要性能参数 1. 通态平均电...
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@西门康可控硅bt138-800e可控硅参数 西门康可控硅 BT138-800E可控硅的参数主要包括以下几个方面: 一、电流参数 通态RMS电流(ItRMS):12A。这是可控硅在导通状态下所能承受的平均电流值。 通态一个周期不重复浪涌电流(ITSM):95A。这是可控硅在单个周期内所能承受的最大浪涌电流。 控制极峰值电流(IGM):2A。
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BT138-800E 产品中心 Planar passivated sensitive gate four quadrant triac in a SOT78 (TO-220AB) plastic package intended for use in general purpose bidirectional switching and phase control applications. This sensitive gate "series E" triac is intended to be interfaced directly to microcontrollers,...
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