1. 击穿电压(VDRM/VRRM):这是指可控硅在阻断状态下能够承受的最大正向或反向电压。BT136-800E的击穿电压高达800V,使其在高压电路中具有较高的安全性。 2. 通态电流(IT(AV)):表示可控硅在导通状态下能够持续通过的平均电流。对于BT136-800E而言,其通态电流能力较强,可在大电流环境下稳定运行...
BT136-800D 双向可控硅 4A 800V TO-220 晶闸管 BT136-800E 全新 深圳市可控硅电子科技有限公司4年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.25成交5500PCS 全新BT136-800E 4A 800V三端双向可控硅晶闸管 贴片TO-252 现货 深圳市一鼎富电子科技有限公司2年 ...
型号: BT136S-800E 封装: TO-252 批号: 新年份 数量: 100000 制造商: NXP 产品种类: 双向可控硅 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上...
BT136-800E 产品中心 Planar passivated sensitive gate four quadrant triac in a SOT78 plastic package intended for use in general purpose bidirectional switching and phase control applications. This sensitive gate "series E" triac is intended to be interfaced directly to microcontrollers, logic ...
品牌名称 KY(韩景元) 商品型号 BT136-800E 商品编号 C2831690 商品封装 TO-220 包装方式 管装 商品毛重 2.07克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录晶闸管(可控硅)/模块 可控硅类型1个双向可控硅 门极触发电压(Vgt)1.5V 保持电流(Ih)25mA ...
品牌名称 WEIDA(韦达) 商品型号 BT136-800E 商品编号 C2901010 商品封装 TO-252 包装方式 编带 商品毛重 0.46克(g) 商品参数 属性参数值 商品目录晶闸管(可控硅)/模块 可控硅类型1个双向可控硅 属性参数值 断态峰值电压(Vdrm)800V 通态电流(It)4A ...
bt136-800e可控硅的参数包括:门极触发电压(Vgt)为1.5V,保持电流(Ih)为25mA,断态峰值电压(Vdrm)为800V,通态峰值电压(Vtm)为1.7V,浪涌电流为27A,门极平均耗散功率(PG(AV))为1W,通态电流(It)为4A,工作温度范围为-40℃~+125℃。另外,不同品牌或批次的bt136-800e可控硅参数可能会有细微差别,具体参数还需...
部件名BT136-800E 下载BT136-800E下载 文件大小221.58 Kbytes 页1 Pages 制造商ISC [Inchange Semiconductor Company Limited] 网页http://www.iscsemi.cn 标志 功能描述iscThyristors 类似零件编号 - BT136-800E 制造商部件名数据表功能描述 NXP SemiconductorsBT136-800E ...
BT136-800E 概述 Triacs sensitive gate 三端双向可控硅敏感栅 晶闸管 BT136-800E 数据手册 通过下载BT136-800E数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。 PDF下载 Philips Semiconductors Product specification Triacs sensitive gate BT136 ...
商品型号 BT136-800E 商品编号 C2984739 商品封装 TO-252 包装方式 编带 商品毛重 0.461克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 参数完善中 数据手册PDF 放大查看下载PDF 梯度价格 梯度 售价 折合1圆盘 5+￥0.9538 50+￥0.7394 150+￥0.6475 500+￥0.5328 ...