型号 BSS139H6327XTSA1 技术参数 品牌: INFINEON英飞凌 型号: BSS139H6327XTSA1 封装: 贴片 批号: 23+ 数量: 3000 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PG-SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 250 V Id-连续漏极电流...
型号 BSS139H6327XTSA1 技术参数 品牌: INFINEON 型号: BSS139H6327XTSA1 封装: PG-SOT-23 批号: 23+ 数量: 30000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 80C 最小电源电压: 3.5V 最大电源电压: 9V 长度: 8.9mm 宽度: 6.9mm 高度: 1.5mm 价格说明 价格:商品在爱采购的...
High-Performance MOSFET Transistor: The BSS139H6327XTSA1 MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3 PG-SOT23 is a high-performance transistor designed for various applications, including MOSFET drivers. This product is ideal for users such as [electronic engineers] who require reliable and efficient power ...
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BSS139H6327XTSA1 Condition Brand New Date Code D/C Contact us Package SMD or Through Hole Lead time 1-3 working days Datasheet Please check with sales Catalogue Electronic Components Shipping Way EXPRESS/AIR/SEA Payment Way Bank Transfer/Debit Card/Credit Card/Paypal ...
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型号 BSS139H6327XTSA1 PDF资料 电子管-场效应管-BSS139H6327XTSA1-Infineon(英飞凌)-SOT-23-23+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户...
型号 BSS139H6327XTSA1 产品详情 技术参数 品牌: INFINEON/英飞凌 型号: BSS139H6327XTSA1 批号: 20+ 封装: SOT-23-3 数量: 103688 QQ: 2956735811 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PG-SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds...
型号: BSS139H6327XTSA1 批号: 19+ 封装: SOT-23-3 数量: 14505 QQ: 1521751314 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PG-SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 250 V Id-连续漏极电流: 100 mA Rds On-漏...
型号 BSS139H6327XTSA1 技术参数 品牌: Infineon(英飞凌) 型号: BSS139H6327XTSA1 数量: 5000 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 250 V Id-连续漏极电流: 100 mA Rds On-漏源导...