LBSS138LT1G是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),凭借其低电荷、快速开关速度和高阻断特性,广泛应用于多个领域。以下是LBSS138LT1G的典型应用场景: 消费电子产品:在电视、音响、游戏机等消费电子产品中,LBSS138LT1G被广泛用于电源供应部分,作为开关管控制电流的开关。 通信设备:在手机基站、路由器、...
BSS138LT1G是安森美(ON Semiconductor)公司推出的一款高性能N通道MOSFET,广泛应用于电子电路中,尤其是在开关和放大器电路中,因其卓越的电气特性和较高的工作效率而受到设计工程师的青睐。以下是对BSS138LT1G的详细产品概述。 1. 基本参数 BSS138LT1G提供了一个强化型N通道MOSFET产品,具有以下基础参数: FET 类型:...
高耐压能力:LBSS138LT1G的最大耐压为50V,使它能够在各种应用中稳定运行。这种高耐压能适应多种电源电路,尤其是在高电压环境下的负载控制中。 低功耗特性:其最大功耗为225mW,能够有效地降低电路中功耗,延长设备的工作寿命。该特性特别适合于便携设备和低功耗应用。
BSS138LT1G-VB 价格参考￥ 0.21752 。 VBsemi BSS138LT1G-VB 封装/规格: SOT-23, 20Vgs(±V);1.6Vth(V)。你可以下载 BSS138LT1G-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 ...