应用简介: BSS138LT1G-VB是一款N沟道场效应晶体管,广泛用于各种电子领域中的模块和电路。以下是该产品的一些主要应用领域:1. **电源管理模块**: BSS138LT1G-VB可用于电源开关和电源管理模块,帮助实现高效的电源控制和管理。2. **信号开关**: 由于其N沟道特性和低阈值电压,该晶体管适用于信号开关电路,可用于...
应用简介:BSS138LT1G-VB是一款N沟道场效应晶体管,广泛用于各种电子领域中的模块和电路。以下是该产品的一些主要应用领域: 1. **电源管理模块**: BSS138LT1G-VB可用于电源开关和电源管理模块,帮助实现高效的电源控制和管理。 2. **信号开关**: 由于其N沟道特性和低阈值电压,该晶体管适用于信号开关电路,可用...
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R 数据手册: 在线购买:立即购买 BSS138LT1G概述 ON SEMICONDUCTOR公司的BSS138LT1G是一款表面安装50V N沟道功率MOSFET,SOT-23封装的.具有低阈值电压,适用于低电压应用.适合应用包括DC-DC转换器,便携式与电池供电产品(如计算机,打印机,PCMCIA卡,蜂窝与无绳电话)的...
应用简介 BSS138LT1G-VB是一款N沟道场效应晶体管,广泛用于各种电子领域中的模块和电路。以下是该产品的一些主要应用领域 1. **电源管理模块** BSS138LT1G-VB可用于电源开关和电源管理模块,帮助实现高效的电源控制和管理。 2. **信号开关** 由于其N沟道特性和低阈值电压,该晶体管适用于信号开关电路,可用于数...
高耐压能力:LBSS138LT1G的最大耐压为50V,使它能够在各种应用中稳定运行。这种高耐压能适应多种电源电路,尤其是在高电压环境下的负载控制中。 低功耗特性:其最大功耗为225mW,能够有效地降低电路中功耗,延长设备的工作寿命。该特性特别适合于便携设备和低功耗应用。
品牌:VBsemi(微碧) 型号: BSS138LT1G-VB 商品编号: DS39719079 封装规格: SOT-23 商品描述: 台积电流片,长电科技封装;这是一款单N沟道MOSFET,采用Trench工艺,适用于低功率电路应用;列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23;N—Channel沟道,60V;0.25A;RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VG...
LBSS138LT1G-VB 价格参考¥ 0.3672 。 VBsemi LBSS138LT1G-VB 封装/规格: SOT-23, 20Vgs(±V);1.6Vth(V)。你可以下载 LBSS138LT1G-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 ...
LBSS138LT1G 由LRC设计生产,在e芯网现货销售,并且可以通过e芯网进行代购。LBSS138LT1G 价格参考¥ 0。LBSS138LT1G -。你可以下载中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有LBSS138LT1G 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 ...