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BSS138-G N-Channel 50-V(D-S) MOSFET RoHS Device Features 1 : Gate 2 : Source 3 : Drain SOT-23 -High density cell design for extremely low RDS(ON). -Rugged and Reliable. 0.118(3.00) 0.110(2.80) 3 0.055(1.40) 0.047(1.20)
BSS138-G 电子元器件 ONS 批次22+ 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片形式标注的抢购价等价格可能是在特...
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BSS138-G 概述 N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管,50V,220mA BSS138-G 数据手册 通过下载BSS138-G数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。 PDF下载 DATA SHEET www.onsemi.com D S N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field ...
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型号:BSS138-G 商品编号:WC0185917 封装规格:SOT-23-3 商品描述: EDA模型 查看详情 原理图符号 封装 3D模型 商品详情 EDA模型 商品介绍 标准包装 标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生...
BSS138G-T3R Description New Original BSS138G-T3R Packaging Type Surface Mount Application Original Type - Package / Case - Series - Features Original Mounting Type Surface Mount Manufacturing Date Code 24+ Cross Reference - Packaging and delivery Selling Units: Single item Single package size: 13...