类似说明 - BSS123W-7-F 制造商部件名数据表功能描述 Fairchild SemiconductorNDH833N 221Kb/5PN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Chino-Excel TechnologyCEPFZ44 506Kb/5PN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor NXP SemiconductorsBSH121 ...
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发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 BSS123W-7-F、 DIODES/美台、 SOT-323 商品图片 商品参数 品牌: DIODES/美台 封装: SOT-323 批号: N/A 数量: 150000 制造商: Diodes Incorporated 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体:...
BSS123W-7-F 由DIODES 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 BSS123W-7-F 价格参考￥ 0.47 。 DIODES BSS123W-7-F 封装/规格: SOT-323, MOSFETs N-Channel VDS=100V ID=170mA SOT323。你可以下载 BSS123W-7-F 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFE...
系列 BSS123W 配置 Single 下降时间 8 ns 正向跨导 - 最小值 0.08 S, 0.37 S 高度 1 mm 长度 2.2 mm 上升时间 8 ns 晶体管类型 Enhancement Mode Field Effect Transistor 典型关闭延迟时间 8 ns 典型接通延迟时间 1.35 mm 宽度 6 mg 可售卖地 全国 型号 BSS123W-7-F 代理各品牌...
FDBL86361_F085 SIHP30N60E-E3 FDMT800150DC STL22N65M5 STW36NM60ND PSMN1R5-30BLEJ STL38N65M5 STF5N105K5 STL18N60M2 2N7002-7-F 2N7002LT1G BSS138 2N7002 DMG1012T-7 2N7002PW,115 BSS138-7-F BSH105,215 FDV303N DMN6140L-7 LND150K1-G MMBF170 NDS...
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BSS123W-7-F;BSS123W-7;中文规格书,Datasheet资料 BSS123W Document number: DS30368 Rev. 9 - 2 1 of 5 www.diodes.com April 2011 © Diodes Incorporated N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • ...
去结算 购物车中还没有商品,赶紧选购吧 请登录免费注册 BSS123W-7-F 图像仅供参考,请参阅产品规格书 star收藏商品 数量国内价格 20+￥0.41390 100+￥0.30950 800+￥0.24000 3000+￥0.17390 15000+￥0.15650 华秋自营合作库存海外代购 交货地: 1国内(含增税)交期(工作日):4-7个工作日 ...