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BSP135 Infineon (英飞凌) MOS管 Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能查看详情 SOT-223
现货库存 BSP135 600V 120MA N通道 场效应管晶体管 封装SOT-223 深圳市恒芯巨能电子有限公司3年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.90 三极管 BSP135 600V 120MA N通道 场效应管 贴片SOT223 深圳市裕兴源电子有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 ...
典型关断延迟时间28 ns典型接通延迟时间5.4 ns典型栅极电荷@Vgs3.7 nC V @ 5典型输入电容值@Vds98 pF V @ 25安装类型表面贴装宽度3.5mm封装类型SOT-223尺寸6.5 x 3.5 x 1.6mm引脚数目4工作温度-55 °C最大功率耗散1.8 W最大栅源电压±20 V最大漏源电压600 V最大漏源电阻值45
BSP 135 Electrical Characteristics at Tj = 25 ˚C, unless otherwise specified. Parameter Symbol Values typ. Unit min. max. Static Characteristics Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS(th) IDSS V V GS = − 3 V, ID = 0.25 mA 600 – – Gate threshold ...
型号:BSP135H6433XTMA1 品牌:Infineon 封装:SOT-223-3 描述:BSP135 - POWER FIELD-EFFECT TRAN 国内价格 1+14.07400 库存:11 去购买 型号:BSP135H6433XTMA1 品牌:Infineon 封装:SOT-223-3 描述: 国内价格 1+10.40040 10+8.68320 30+7.73280 库存:10 去购买 型号:BSP135H6433XTMA1 品牌:INFINEON TECHNOLOGIES...
BSP135H6433XTMA1由Infineon(英飞凌)设计生产,立创商城现货销售。BSP135H6433XTMA1价格参考￥7.16。Infineon(英飞凌) BSP135H6433XTMA1参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):120mA;导通电阻(RDS(on)):60Ω@10V,0.12A;耗散功率(Pd):1.8W
Infineon/英飞凌:BSC TLE BTS BSP ISP IPB IPD SPB SPD开头产品优势供应 BSC059N03SG,BSC020N025SG,BSC022N03SG,BSC032N03SG,BSC072N03LDG,BSC027N04LSG,BSC020N03LSG,BSC059N04LSG,BSC120N03MSG,TLE4264,TLE4266,TLE4274,TLE4275,TLE4276,TLE4267,TLE4268,TLE4284,TLE4295,TLE4296,TLE5206,TLE428...
INFINEON BSP135 说明书 Rev. 1.0page 12003-04-03
BSP135H6433XTMA1简述 制造商:Infineon Technologies 批号:新批次 描述:MOSFET N-Ch 600V 20mA SOT-223-3 BSP135H6433XTMA1详细参数 BSP135H6433XTMA1价格 其他说明 价格有优势,BSP135H6433XTMA1国内现货当天可发货。 联系:18028728293(微信同号) Q:16845050...