BSP130-VB 以其高电压耐受能力和稳定的开关性能,适用于各种需要处理高电压的应用领域,尤其是高电压开关和电源管理系统。
BSP123-VB 是一款高电压单N沟道MOSFET,采用SOT223封装,专为处理中等电压和电流应用设计。该MOSFET 具有100V的漏源电压(VDS)和20V的栅源电压(VGS),阈值电压(Vth)为1.8V。其导通电阻(RDS(ON))在4.5V栅极驱动下为120mΩ,在10V栅极驱动下为100mΩ,漏极电流(ID)最大为5A。BSP123-VB 使用Trench技术制造,提供稳...
商品关键词 BSP75NQTA、 DIODES/美台 商品图片 商品参数 品牌: DIODES/美台 数量: 7178 制造商: Diodes Incorporated 产品种类: MOSFET RoHS: 是 晶体管极性: N-Channel Id-连续漏极电流: 1.3 A 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 1.5 W 资格: AEC-Q101 ...
软件开发-BSP开发 - K 科大讯飞 互联网 已上市 更换职位 职位关闭 c++开发工程师 - K· 薪 华为 计算机软件 不需要融资 更换职位 职位详情 深圳 3-5年 本科 Android/linux系统 车机 汽车 岗位职责: 1、精通C/C++;精通Linux 内核,深入理解驱动架构、文件系统、进程管理机制、内存管理机制、网络协议; 2、熟悉...
BSP驱动 1、开发无线收发机芯片的驱动程序 2、撰写无线收发机kanzhun寄存器相关应用手册 3、配合芯片设计师进行无线收发机芯片的调试验证来自BOSS直聘4、客户支持以及直聘客户关系维护任职要求: 1、 熟悉C/C++编程和Linux操作系统,有良好的编程习惯 2、 必须有嵌入式驱动,内核开发经验 3、 有射频通信类芯片驱动开发经...
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BSP320S-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET,采用SOT223封装,设计用于中低电压应用。该MOSFET 使用Trench技术,提供较低的导通电阻和适中的电流处理能力,非常适合用于高效能开关和功率管理系统中。 ### 二、详细的参数说明 | 参数 | 数值 | |---|---| | **封装类型** | SOT223 | | **配置*...
BSP298-VB 是一款高电压单N沟道MOSFET,采用SOT223封装,专为处理高电压应用设计。该MOSFET 的漏源电压(VDS)高达650V,栅源电压(VGS)为30V(±),适合高电压开关和控制。其阈值电压(Vth)为3.5V,导通电阻(RDS(ON))在4.5V栅极驱动下为2500mΩ,在10V栅极驱动下为2000mΩ,漏极电流(ID)最大为4A。BSP298-VB 使用...
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BSP108-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET,采用SOT89封装,专为中高电压应用设计。该MOSFET 使用Trench技术,提供较低的导通电阻和适中的电流处理能力,适合用于需要高效能和高可靠性的电子系统,特别是在开关和功率管理应用中。 ### 二、详细的参数说明 | 参数 | 数值 | ...