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部件名BSM75GB120DN2 下载BSM75GB120DN2下载 文件大小112.89 Kbytes 页9 Pages 制造商SIEMENS [Siemens Semiconductor Group] 网页http://www.siemens.com/ 标志 功能描述IGBTPowerModule(Half-bridgeIncludingfastfree-wheelingdiodesPackagewithinsulatedmetalbaseplate) ...
型号 BSM75GB120DN2 技术参数 品牌: 德国英飞凌 型号: BSM75GB120DN2 封装: IGBT模块 批号: 2022+ 数量: 80 制造商: Infineon 产品种类: IGBT 模块 RoHS: N 配置: Half Bridge 集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V 集电极—射极饱和电压: 2.5 V 在25 C的连续集电极电流: 105 A 栅极—射极漏泄电流...