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IGBT模块BSM200GB120DLC BSM200GB120DN2功率模块 一单元1U 苏州新电元半导体有限公司14年 月均发货速度:暂无记录 江苏 苏州市 ¥320.00 BSM200GB120DN2 BSM200GB120DN2B功率驱动模块IGBT全新原装现货 深圳市世泽佳电子有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 ...
BSM150GT120DN2 BSM150GB170DLC BSM200GB120DN2 IGBT模块现货 深圳市金庆电子有限公司 7年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥380.00 BSM200GB120DN2全新原装 功率IGBT模块 量大价优 电子元器件 江苏晞辉芯城电子科技有限公司 1年 月均发货速度: 暂无记录 江苏 昆山市 ¥325.00 ...
最大工作电流 200 最大功率 3000 增益 1 阻抗 2 数量 10 制造商 infineon 重量 400 可售卖地 全国 型号 BSM200GB120DN2 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协...
品牌名称Infineon(英飞凌) 商品型号 BSM200GB120DN2 商品编号 C534488 包装方式 托盘 商品毛重 1克(g) 商品参数 参数完善中 梯度价格 梯度 售价 折合1托盘 1+￥1306.58￥13065.8 30+￥1253.59￥12535.9 优惠活动 购买数量(10个/托盘,最小起订量 1 个) ...
型号 BSM200GB120DN2 技术参数 品牌: INFINEON 型号: BSM200GB120DN2 封装: 半导体模块 批号: 22+ 数量: 2653 制造商: Infineon 产品种类: IGBT 模块 RoHS: 是 配置: Half Bridge 集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V 集电极—射极饱和电压: 2.5 V 在25 C的连续集电极电流: 290 A 栅极—射极漏泄电流...
发货地 上海 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 专用IC 商品关键词 BSM200GB120DN2、 INFINEON、 标准封装 商品图片 商品参数 品牌: INFINEON 封装: 标准封装 批号: 22+ 数量: 999 制造商: Infineon 产品种类: IGBT 模块 RoHS: 是 配置: Half Bridge 集电极—射极饱和电压: 2.5 V ...
英飞凌BSM200GB120DN2 等效电路图 基于英飞凌BSM200GB120DN2 的电源逆变器工作原理 由于电源逆变器一般采用全桥拓扑,因此这个太阳能逆变器设计采用了4个高压IGBT。晶体管Q1和Q2用作高压端IGBT,Q3和Q4用作低压端功率器件。为保持低的总功率损耗低和高的电源转换效率,这个DC/DC逆变器解决方案利用低压端和高压端IGBT产...
型号: BSM200GB120DN2E3238 SCH300GB120DN2 封装: 模块 批号: 20+ 数量: 2014 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 1.5V 最大电源电压: 6.5V 长度: 8.1mm 宽度: 7.3mm 高度: 1.4mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品...
产品型号BSM200GB120DN2 数量 产品信息 联系方式 品牌 英飞凌/INFINEON 型号 BSM200GB120DN2 用途 S/开关 封装外形 螺丝型 材料 IGBT绝缘栅比极 相数 其他 控制方式 其他 主电路形式 其他 频率 高频 加工定制 否 导电沟道 其他 导电方式 其他 极间电容 ...