品牌名称 Infineon(英飞凌) 商品型号 BSC340N08NS3 G 商品编号 C83511 商品封装 TDSON-8-EP(5.1x5.9) 包装方式 编带 商品毛重 0.207克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型- 漏源电压(Vdss)80V 连续漏极电流(Id)23A ...
BSC340N08NS3 G-VB由VBsemi(微碧半导体)设计生产,立创商城现货销售。BSC340N08NS3 G-VB价格参考￥5.89。VBsemi(微碧半导体) BSC340N08NS3 G-VB参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):30A;耗散功率(Pd):40W;阈值电压(Vgs(th)):3V;栅极电
找BSC340N08NS3 G规格参数技术文档,厂家,现货等,上阿里巴巴IC专业市场。为你找到605条BSC340N08NS3 G型号,品牌,封装,批号,价格,图片等信息,批发采购BSC340N08NS3 G,上阿里巴巴1688 IC频道。
型号: BSC340N08NS3 G 封装: TDSON-8 批号: 19+ 数量: 26500 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TDSON-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电流: 23 A Rds On-漏源导通电阻: 27.5 mOhms Vgs - 栅极...
BSC340N08NS3 G-VB 是一款高耐压 N-Channel MOSFET,封装为 DFN8(5x6)。它采用 Trench 技术,具备高电压承受能力和较低的导通电阻,适用于高电压和高电流的应用场景。 **2. 详细参数说明:** - **封装**: DFN8(5x6) - **配置**: 单极性 N-Channel ...