采用SuperSO8 封装的 175°C OptiMOS™ 5 功率 MOSFET:优势? *更高的可靠性:175°C TJ_MAX 在相同的工作结温下提供更长的使用寿命*更高的工作温度:175°C TJ_MAX 在更高的工作结温下提供更多的功率*最高的系统可靠性*耐热性*最高的效率和功率密度 了解详细内容 200-300 V StrongIRFET™器件的用途...
商品封装 TDFN-8(5.2x5.9) 包装方式 编带 商品毛重 0.15克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 数量 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 150V 连续漏极电流(Id) 76A 导通电阻(RDS(on)) 11mΩ@10V,38A 耗散功率(Pd) 125W 属性参数值 阈值电压(Vgs(th)) 3.8V...
BSC110N15NS5 价格参考￥ 5.775 。 Infineon BSC110N15NS5 封装/规格: PG-TDSON-8_5.15X5.9MM, 。你可以下载 BSC110N15NS5 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版: BSC110N15NS5...
品牌名称 VBsemi(微碧半导体) 商品型号 BSC110N15NS5ATMA1-VB 商品编号 C22395967 商品封装 DFN-8(5x6) 包装方式 编带 商品毛重 0.66克(g) 商品参数 参数完善中 数据手册PDF 放大查看下载PDF 梯度价格 梯度 售价 折合1圆盘 1+￥7.17 10+￥7 30+￥6.88 ...
商品关键词 BSC110N15NS5、 Infineon/英飞凌、 TDFN-8 商品图片 商品参数 品牌: Infineon/英飞凌 封装: TDFN-8 批号: 新年份 数量: 250000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 80C 最小电源电压: 2V 最大电源电压: 9.5V 长度: 9.9mm 宽度: 6.5mm ...
BSC110N15NS5 集成电路(IC) INFINEON/英飞凌 封装PG-TDSON-8 批次23+ BSC110N15NS5 5000 INFINEON/英飞凌 PG-TDSON-8 23+ ￥1.0000元>=1 个 深圳市能创芯电子科技有限公司 3年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 BSC110N15NS5 INFINEON/英飞凌 新批次 TSDSON8 集成电路ic芯片 ...
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封装 SuperSO-8 外形尺寸 封装 SuperSO-8 其他 产品生命周期 Active 制造应用 Low voltage 符合标准 RoHS标准 RoHS Compliant 含铅标准 Lead Free 产品概述 场效应管(MOSFET) BSC110N15NS5 TDFN-8(5.2x5.9) Description: The new OptiMOS™ 5 150 V power MOSFETs fromInfineonare particularly suitable for ...
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