BSC100N06LS3G原装正品BSC100N06LS3ic芯片电子元器件配单 深圳市轻舟行科技有限公司4年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥2.00 BSC100N06LS3TDSON8 全新原装 现货优势库存 厂家直销 代理 芯片 深圳市瑞兴泰电子有限公司5年 月均发货速度:暂无记录 ...
BSC100N06LS3-G OptiMOS™ 60 V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control, ...
BSC100N06LS3 G-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用DFN8(5x6)封装。这款MOSFET利用先进的Trench技术制造,具有较低的导通电阻和良好的电流处理能力,适合用于各种电源管理和开关应用。BSC100N06LS3 G-VB支持高达60V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS),其门槛电压(Vth)为2.5V,确保能够在适中的栅极电压下可...
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能 : 逻辑电平门 漏源极电压(Vdss) : 60V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 12A(Ta),50A(Tc) 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 10 毫欧 @ 50A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 2.2V @ 23µA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 45nC @ 10V 不同V...
唯样商城为您提供Infineon设计生产的BSC100N06LS3 G 元器件,主要参数为:BSC100N06LS3GATMA1_60V 50A 7.8mΩ 20V 50W N-Channel -55°C~150°C,BSC100N06LS3 G库存充足,购买享优惠!
BSC100N06LS3 G 商品编码: BM0209661528 品牌 : Infineon(英飞凌) 封装 : PG-TDSON-8 包装 : 编带 重量 : 1g 描述 : - 库存: 198(起订量1,增量1) 批次:22+ 数量: X5.33 按整: 圆盘(1圆盘有5000个) 合计:￥5.33 加入购物车直接购买
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 BSC100N06LS3 G、 INFINEON、 TDSON-8 商品图片 商品参数 品牌: INFINEON 封装: TDSON-8 批号: 22+ 数量: 9420 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TDSON-8 ...
BSC100N06LS3 G.pdf RoHs无铅/符合RoHs无铅/符合RoHs 规格信息 宽度-5.15mm Rds On(Max)@Id,Vgs-7.8mΩ 上升时间-58ns 漏源极电压Vds-60V Pd-功率耗散(Max)-50W Qg-栅极电荷-45nC 栅极电压Vgs-20V 正向跨导 - 最小值-32S 典型关闭延迟时间-19ns ...
BSC100N06LS3G Datasheet PDF Infineon Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8Pin TDSON EP BSC100N06LS3 G Datasheet PDF Infineon Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8Pin TDSON T/R BSC100N06LS3GATMA1 Datasheet PDF IFA N-Channel 60V 10mOhm OptiMOS™3 Power-Transistor - PG-TDSON-8 Data...
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能 : 逻辑电平门 漏源极电压(Vdss) : 60V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 12A(Ta),50A(Tc) 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 10 毫欧 @ 50A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 2.2V @ 23µA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 45nC @ 10V 不同...