发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 BSC040N10NS5ATMA1 商品图片 商品参数 品牌: Infineon 批号: 22+ 封装: PG-TDSON-8 QQ: 2881730449 数量: 4957 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买...
封装 TDSON8 批号 21+ 数量 50000 制造商 Infineon 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 PG-TDSON-8 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 100 V Id-连续漏极电流 100 A Rds On-漏源导通电阻 4 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 10 V Vgs ...
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5300pF @ 50V FET功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),139W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 器件封装:PG-TDSON-8-7 现在可以订购BSC040N10NS5ATMA1,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。
厂商: EUPEC(英飞凌) 封装: PowerTDFN8 描述: MOSFETN-CH100V100A8TDSON 数据手册:下载BSC040N10NS5ATMA1.pdf立即购买 数据手册 价格&库存 BSC040N10NS5ATMA1 数据手册 BSC040N10NS5 MOSFET OptiMOSTM5Power-Transistor,100V SuperSO8 8 Features •OptimizedforhighperformanceSMPS,e.g.sync...
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)-5300pF @ 50V FET类型-N 通道 封装/外壳8-PowerTDFN8-PowerTDFN 不同Id时Vgs(th)(最大值)-3.8V @ 95uA 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值)-72nC @ 10V 工作温度--55°C ~ 150°C(TJ) 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)-4 毫欧 @ 50A,10V ...
摘要:BSC040N10NS5ATMA1现货 Infineon Technologies代理商 一站式电子元器件采购商城,晶体管 - FET,MOSFET - 单个的BSC040N10NS5ATMA1中文资料、PDF数据手册、引脚图、封装规格、价格行情和库存等信息,Infineon Technologies的BSC040N10NS5ATMA1货源充足,采购BSC040N10NS5
Infineon(英飞凌)BSC040N10NS5ATMA1参数(REEL N-Channel 100V 100A,封装:PG-TDSON-8),BSC040N10NS5ATMA1中文资料和引脚图及功能表说明书PDF下载(12页,1233KB),您可以在BSC040N10NS5ATMA1MOS管规格书Datasheet数据手册中,查到BSC040N10NS5ATMA1引脚图及功能的应
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.8V @ 95uA 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 72nC @ 10V 工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ) 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4 毫欧 @ 50A,10V Vgs(最大值) - ±20V 25°C时电流-连续漏极(Id) - 100A(Tc) ...
封装/外壳 8-VSON-CLIP(5x6) 8-PowerTDFN 不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.8V @ 95uA 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 72nC @ 10V 工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ) 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4 毫欧 @ 50A,10V Vgs(最大值) - ±20V 25°C时电流-连续漏极(Id) - 100A...
Infineon-BSC040N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf RoHs无铅/符合RoHs不符合RoHs 规格信息 功率耗散(最大值)-2.5W(Ta),139W(Tc) 技术-MOSFET(金属氧化物) 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)-5300pF @ 50V FET类型-N 通道 封装/外壳8-VSON-CLIP(5x6)8-PowerTDFN ...