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产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-92-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 45 V Id-连续漏极电流: 230 mA Rds On-漏源导通电阻: 14 Ohms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V 最小工作温度...
产品族: 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 其它名称: BS250PTA FET 类型: P 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 45V Vgs(最大值): ±20V 功率耗散(最大值): 700mW(Ta) 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 通孔 供应商器件封装: E-Line(TO-92 兼容) 封装/外壳: E-Line-3...
DIODES/美台 BS250P MOSFET P-Chnl 45V BS250P 5000 DIODES/美台 TO-92(TO-92-3) ￥0.0500元500~999 个 ￥0.0300元1000~1999 个 ￥0.0200元>=2000 个 深圳市伯森特科技有限公司 4年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 BS250P 电子元器件 E-Line 资料 数据手册 规格书 PDF BS250P ...
型号品牌参考价格 BS250P DIODES/美台 ￥1.52 BS250P中文资料规格参数 BS250P概述 类别:分离式半导体产品 家庭:MOSFET,GaNFET - 单 系列:-FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 特点:标准型开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:14 欧姆 @ 200mA, 10V漏极至源极电压(Vdss):45V电流- 连续漏极(Id) ...
描述 P沟道,-45V,-230mA,14Ω@-10V 品牌名称DIODES(美台) 商品型号BS250P 商品编号C151450 商品封装TO-92L-3 包装方式 盒装 商品毛重 0.221克(g) 数据手册 商品参数 参数纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个P沟道 漏源电压(Vdss) 45V 连续漏极电流(Id) 230mA 导通电阻(...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-92-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 45 V Id-连续漏极电流: 230 mA Rds On-漏源导通电阻: 14 Ohms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值...
BS250P由DIODES设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过digikeyrstmefuture等渠道进行代购。 BS250P 价格参考￥ 1.9481 。 DIODES BS250P 封装/规格: TO92-3, MOSFET P-CH 45V 230MA TO92-3。你可以下载 BS250P 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图...
半导体产品 分立器件 晶体管 MOSFET BS250P Diodes Incorporated | BS250P0 产品图片仅供参考, 请以技术参数为准 制造商型号 BS250P BS250P 系列 45 V 14 Ohm P 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET - TO-92 BS250P 数据手册 ECAD模型: 制造商: Diodes Incorporated 标准包装: Product Variant Information ...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: ThroughHole 封装/箱体: TO-92-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1Channel Vds-漏源极击穿电压: 45V Id-连续漏极电流: 230mA RdsOn-漏源导通电阻: 14Ohms Vgs-栅极-源极电压: -20V,+20V Vgsth-栅源极阈值电压: 3.5V 最小工作温度: -55C...