系列: HGTG18N120BND 集电极最大连续电流 Ic: 54 A 高度: 20.82 mm 长度: 15.87 mm 宽度: 4.82 mm 集电极连续电流: 54 A 栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA 单位重量: 6.390 g 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 Fairchild、 飞兆、 仙童、 HGTG18N120BND 商品图片 商品参数 品牌: Fairchild(飞兆/仙童) 批号: 24+ 数量: 10000 种类: 电子管 产品应用: 电子设备 是否支持订货: 是 现货交期: 1个工作日内 是否支持样品: 是...
HGTG18N120BND 产品属性 产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing 标准包装 150 类别 分离式半导体产品 家庭 IGBT - 单路 系列 - IGBT 类型 NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V Vge, Ic时的最大Vce(开) 2.7V @ 15V,18A 电流 - 集电极 (Ic)(最
盛芯电子元器件商城为您提供 HGTG18N120BND 由ON Semiconductor设计生产,在 盛芯商城 现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。HGTG18N120BND 价格参考31.71。AMI HGTG18N120BND 封装/规格:位置传感器,SENSOR ANGLE 360DEG SMD。 你可以下载HGTG18N120BND中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,...
HGTG18N120BND 更多代替型号 STMICROELECTRONICS STGWA25M120DF3 单晶体管, IGBT, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚 STGWA25M120DF3 更多代替型号 54A , 1200V ,不扩散核武器条约系列N沟道IGBT 54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT ...
HGTG18N120BND 场效应管 Fairchild(飞兆/仙童) 批号24+ 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片形式标注...
爱企查为您提供HGTG18N120BND 场效应管 ON,深圳黑森尔电子有限公司售卖商品,可电话联系商家或留言询价。场效应管;场效应管批发;场效应管行情报价;场效应管价格;场效应管底价;场效应管图片;场效应管厂家;场效应管生产厂家;场效应管品牌;场效应管型号;场效应管规
HGTG18N120BND 规格参数 是否无铅: 不含铅 是否Rohs认证: 符合 生命周期: Transferred 零件包装代码: TO-247 包装说明: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 针数: 3 Reach Compliance Code: not_compliant ECCN代码: EAR99 HTS代码: 8541.29.00.95 风险等级: 3.16 其他特性: LOW CONDUCTION LOSS 最大集电极电流 (IC)...
二极管/晶体管 > IGBT管 (272) > HGTG18N120BND HGTG18N120BND商品类别: IGBT管 (272) 封装/规格: TO-247-3 产品价格: ￥32.60 元 品牌产地: ON Semiconductor(安森美半导体) 数据手册: 暂无手册资料 登录会员查看更多价格已经有 4389342 位朋友关注此商品,现在库存 20 ,已出售 106025 件。联系我们: ...
HGTG18N120BND品牌厂家:ON,所属分类:晶体管-IGBT,可在锐单商城现货采购HGTG18N120BND、查询HGTG18N120BND代理商; HGTG18N120BND价格批发咨询客服;这里拥有HGTG18N120BND中文资料、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到HGTG18N120BND替代型号、HGTG18...