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BLS6G2731-6G 厂商: NXP(恩智浦) 封装: 描述: BLS6G2731-6G - LDMOS S-Band radar power transistor - NXP Semiconductors 数据手册:下载BLS6G2731-6G.pdf立即购买 数据手册 价格&库存 BLS6G2731-6G 数据手册 BLS6G2731-6G LDMOS S-Band radar power transistor Rev. 01 — 19 February 2009 Product ...
BLS6G2731-6G 数据表 (HTML) - NXP Semiconductors 部件名BLS6G2731-6G 下载BLS6G2731-6G下载 文件大小9375.07 Kbytes 页130 Pages 制造商NXP [NXP Semiconductors] 网页http://www.nxp.com 标志 功能描述RFManual16thedition General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications ...
品牌：Ampleon(安谱隆)型号：BLS6G2731S-130类别：晶体管封装：陶瓷无耳凸腔封装 型号特点 高功率：130 瓦输出功率高效率： 50% 效率宽带操作： 2.7 GHz 到 3.1 GHz 频段内部匹配： 易于使用ESD 保护： 防止静电放电损坏 应用范围 射频功率放大器工业应用 相关型号 BLS6G3135-120BLS6G3135S-120BLS6G3135S-...
品牌：Ampleon(安谱隆)型号：BLS6G2731S-120类别：晶体管封装：SOT502B 型号特点 高输出功率: 120 W 输出功率，满足雷达系统对功率的需求。高效率: 48% 的效率，有效降低系统功耗。宽带操作: 2.7 GHz 至 3.1 GHz 频率范围，内部匹配: 简化电路设计，提高电路稳定性。集成 ESD 保护: 保护晶体管免受静电放电...
Ampleon BLS6G2731-120是一款防静电的晶体管 BLS6G2731-120是Ampleon(安谱隆)推出的一款LDMOS 功率晶体管，这款晶体管还拥有集成静电放电 (ESD) 保护，这有助于保护其免受损坏，并延长其使用寿命。此外，它还具有高可靠性和良好的热特性，这意味着它可以在恶劣的环境条件下稳定工作。型号规格 品牌：Ampleon(安谱隆...
BLS6G2731S-130型号简介BLS6G2731S-130是Ampleon(安谱隆)推出的一款功率LDMOS晶体管,这款晶体管内部集成了ESD保护,犹如一位拥有护身符的守护者,保护晶体管免受静电放电的损害。它就像一位拥有神秘力量的魔法师,为电子系统带来安全保障,确保其在恶劣环境中的可靠运行。
BLS6G2731S-120,112 Ampleon品牌 晶体管 详细描述 RF Mosfet 32 V 100 mA 2.7GHz ~ 3.1GHz 13.5dB 120W SOT502B 类别 分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET RF FET,MOSFET 制造商 Ampleon USA Inc. 系列 - 包装 托盘 产品状态 在售 技术 LDMOS
BLS6G2731S-120型号简介BLS6G2731S-120是Ampleon(安谱隆)推出的一款功率LDMOS晶体管,这款晶体管就像一位贴心的助手,帮助设计师简化电路设计,提高电路的稳定性和可靠性。这让设计师们能够更加专注于系统的核心功能,创造出更加出色的产品。型号规格品牌:Ampleon(安谱隆)
[图片] 型号简介 BLS6G2731-120是Ampleon(安谱隆)推出的一款LDMOS 功率晶体管,这款晶体管还拥有集成静电放电 (ESD) 保护,这有助于保护其免受损坏,并延长其使用寿命。此外,它还具有高可靠性和良好的热特性,这意味着它可以在恶劣的环境条件下稳定工作。 型号规格品