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BSH111BKR Nexperia 小信号MOSFET 参数信息 制造商 Nexperia 制造商编号 BSH111BKR 商品目录 小信号MOSFET 封装/外壳 SOT23 FET类型 N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs 5000mΩ@2.5V,4000mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max) 0.302W 工作温度 150℃ 栅极电压Vgs 10V,1V 漏源极电压Vds 55V 输入电容 19.1pF 输出电...
BSH111BKR由Nexperia(安世)设计生产,立创商城现货销售。BSH111BKR价格参考￥0.2291。Nexperia(安世) BSH111BKR参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):210mA;导通电阻(RDS(on)):4Ω@4.5V,200mA;耗散功率(Pd):364mW;阈值电压(Vgs(th)):1.3
BSH111BKR 是一款N沟道MOSFET,采用小型SOT-23封装,特别适用于紧凑型电子设计。该器件具有60V的漏源电压额定值(VDSS),可承载0.3A的连续漏极电流(ID),且因其卓越的导通性能,导通电阻低至1000mR,有效减少能源损耗,提升系统效率。广泛运用于电源转换、开关控制、电机驱动等各种电路中,是您实现低功耗、高性能设计的理想...
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BSH111BKR -Nexperia USA Inc.- 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商型号:BSH111BKR 制造商: Nexperia USA Inc. 封装:TO-236AB 产品类别: 商品描述:MOSFET N-CH 55V SOT-23 定价(未税) 数量单价总价 11.681.68 库存数量:34981发货时间:最小起订:1 ...