MOS输入阻抗最大,JFET次之,BJT最低。阻抗大的有优点也有缺点,优点是可以匹配很多高阻抗的传感器,但...
放大倍数高 FET 电压控制电流元器件 常用于大电流,高功率 输入阻抗高 放大倍数较低 JFET与MOSFET特点 JFET pn接反偏控制电流,绝大部分是耗尽型(有通道) 输入阻抗较小,10^9欧姆 相对噪音较低 MOSFET 绝缘栅两侧形成类似电容的电场效应 耗尽型与增强型普遍存在 输入阻抗通畅为10^14欧姆,很大 噪音比较高...
IGBT或绝缘栅双极晶体管是一种结合了BJT和MOSFET的最佳部分的晶体管。它具有MOSFET(绝缘栅极)的高输入阻抗和快速开关速度的输入特性和BJT的大输出电流处理能力的输出特性。 它有栅极(G)、集电极(C)和发射极(E)三个端子,其中栅极代表MOSFET部分,集电极和发射极代表BJT部分。它是一种像MOSFET一样没有输入电流的电压控...
FET:一种载流子--多子,属于单极性器件,要么是空穴要么是自由电子导电。 稳定性(噪声): BJT:噪声更大--因为少子参与了导电,而少子容易受到温度的影响,热稳定性较差 FET:噪声更小--因为只有多子导电,热稳定性更好,噪声小 分类: BJT:PNP和NPN FET: 按沟道:N型和P型 按原理:JFET和MOSFET(增强型、耗尽型) 特...
对MOSFET而言,饱和指的是载流子的速度,即电压Vds增加时,载流子速度不再增加,若Vgs确定(反型层载流子...
JFET的噪声具有以下一些特点:a)与BJT相比,JFET的噪声要低得多 (因JFET中不存在少子产生、复合所引起的散粒噪声 )。b)在不同频段, JFET的噪声成分不同,在低频段主要是沟道热噪声;在高频段主要是诱生栅极噪声。对短沟道器件, 则主要是偶极畴引起的扩散噪声。
因此,传输特性可以定义为MOSFET漏极电流与作为输入控制的数量或信号的关系图。 因此,当曲线在图5.15的左侧使用时,这会导致跨输入/输出变量的直接“转移”。如果是线性关系,ID vs VGS 的图将是横跨 IDSS 和 VP 的直线。 然而,由于VGS跨过漏极特性之间的垂直间距,这导致了抛物线曲线,随着VGS变得越来越负,该间距会...
JFET中产生噪声的机理有三,即: ① 沟道热噪声~ 多数载流子在沟道电阻上的无规运动 (热运动),使得漏极电流或漏极电压发生起伏,这也就是热噪声,它与温度有关, 而与频率无关(白噪声)。 ② 诱生栅极噪声~ 由于沟道电阻上的电压起伏 (热噪声),再通过Cgs和Cds而感生栅极电压或电流发生起伏,即诱生栅极噪声,它...
输入端的偏置电流从小到大CMOSFET(pA)<JFET(nA)<BJT(uA)一般情况下输入失调电压CMOSFET》JFET》BJT JFET很少见
JFET vs. MOSFET: Comparison Chart Latch-up pnpn sandwich , below inverter forms inherently two BJT which one is npn and the other one is pnp. Therefore called PNPN sandwich. Firstly, small base current ib1 flows inside npn, then ic1 flows out of npn with beta1ib, ignoring both R1 and...