晶体管极性 NPN 配置 Single 集电极—基极电压VCBO 75V 发射极-基极电压VEBO 6V 集电极—射极饱和电压 300mV 最大直流电集电极电流 800mA Pd-功率耗散 500mW 最小工作温度 -65C 最大工作温度 +200C 直流电流增益hFE最大值 325at1mA,10VDC 可售卖地 全国 型号 JANTXV2N2222A 价格说明 价...
2N2222 制造商: STMicroelectronics 类别: 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 包装: 剪切带(CT) 晶体管类型: NPN 不同Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.6V @ 50mA,500mA 电流- 集电极截止(最大值): 10nA(ICBO) 不同Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): ...
晶体管2N2222 晶体管类型 NPN 集电器 800mA 电压-集电极发射极击穿 40V Vce饱和度 1V @ 50mA, 500mA 集电器截止 10nA (ICBO) 直流电流增益 100 @ 150mA, 10V 功率-最大 500mW 频率转换 300MHz 工作温度 -65 °C ~ 200 °C (TJ) 包装和发货信息 Packaging Details Standard package Port Shenzhen /...
晶体管类型 NPN 功率- 最大值 500 mW 频率- 跃迁 300MHz 工作温度 175°C(TJ) 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-206AA,TO-18-3 金属罐 可售卖地 全国 类型 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体 型号 2N2222A 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变...
型号 JAN2N2222A 技术参数 品牌: MICROSEMI/美高森美 型号: JAN2N2222A 数量: 555 制造商: Microchip 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RoHS: N 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-18-3 晶体管极性: NPN 配置: Single 集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V 集电极—基极电压 VCBO: 75...
NPN型BJT的截止电流一般有三种分类:A类、B类和C类。其中A类是指截止电流最小的一类,适用于低功率放大电路;B类是指截止电流相对较大,适用于功率放大或交流放大电路;C类是指截止电流最大,适用于高频电路。 2.PNP型BJT的截止电流分类 PNP型BJT的截止电流也一般分为A类、B类和C类三种。区别在于PNP型BJT的电流流向...
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2N2222A Type Bipolar Transistor Brand Name original Package Type Throught Hole Other attributes Mounting Type Throught Hole Description BJT TO92 40V NPN 0.625W 150C Place of Origin China Package / Case TO-18 Type Bipolar (BJT) Transistor Operating Temperature 175°C (TJ) Series Bipolar (BJT)...
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规格 双极晶体管 2N2222A 双极结型晶体管(BJT) BJTs 产品属性属性值搜索类似 制造商: Microchip 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RoHS: N 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-18-3 晶体管极性: