IGBT 输入电容比 MOS 大,因此需要更大的电压驱动功率,MOSFET 一般用于高频低压应用,即功率 < 1000W 且开关频率 > 100kHZ,而 IGBT 在低频和大功率场合。 如何选择IGBT IGBT额定电压选择 三相380V输入电压经过整流滤波后,直流母线电压最大值:在开关工作的情况下,一般要求IGBT的额定电压高于直流母线电压的两倍,根据电...
,即得到基于BJT&MOS模型的IV特性。 因为MOS沟道压降多了 系数,显然结果应小于PIN&MOS模型。 举例:基于PIN+MOS模型,假设IGBT芯片厚度100μm,沟槽宽度1.5μm,沟道深度3μm,栅氧厚度120nm,载流子寿命5微秒,阈值电压为5V,栅极施加电压为15V,电流增益 =0.5,我们比较一下基于PIN&MOS模型和基于BJT&MOS模型的IGBT的IV...
(四)IGBTIGBT是MOS和BJT的复合器件,到底是怎么复合的,往下看。从结构上看,IGBT与功率MOS的结构非常类似,在背面增加P+注入层(injectionlayer)。 得出IGBT的导电路径: 由于上图P阱与N-漂移区的PN结成反偏状态,于是产生了JFET效应,如下图。 于是,在上述IGBT结构中,电子流通方向的电阻可用下图表示,结合上边描述,一...
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是一种由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件。 产业链上游主要为半导体材料及设备供应商,中游为IGBT芯片的设计、制造、封测过程,下游则广泛应用于多个领域。 盈利能力通常表现为一定时期内企业收益数额的多少及其水平的高低。盈利能力...
6078 2 2:23 App IGBT究竟是什么东西?这期视频不能再详细了 307 -- 22:07 App 电力电子18:固定导通时间控制原理Constant on time control of PWM converters 5164 -- 1:50 App 常见的四种MOS管驱动电路设计,你用过几个? 361 -- 48:37 App 燕山大学电气工程复试电力电子技术复习重点导学(1) 337 --...
IGBT 的出现 随着对大功率、高电压应用的需求不断提升，人们发现：BJT 在高压大电流下确实能工作，但其...
1)IGBT,【绝缘栅双极型晶体管】,是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,主要用于变频器逆变和其他逆变电路,将直流电压逆变成频率可调的交流电。IGBT有阴极、阳极和控制极,关断的时候阻抗非常大,接通的时候存在很小的电阻,通过接通或断开控制极来控制阴极和阳极之间的接通和关断。
“绝缘栅双极晶体管(IGBT)是少数载流子器件,具有高输入阻抗和较大的双极载流能力。许多设计人员将IGBT视为具有MOS输入特性和双极性输出特性的器件,它是一种压控双极性器件。为了利用功率MOSFET和BJT的优点,引入了IGBT。它是单片形式的功率MOSFET和BJT器件的功能集成。它结合了两者的最佳属性,以实现最佳的器件特性[2]...
IGBT是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼具高输入阻抗和低导通压降两大优势,是能源变换和传输的核心器件。2018 年我国IGBT需求量7898万只,产量仅为 1115 万只,自给率不到15%,国产化需求迫切。我国IGBT市场潜力极大,到2025年,我国IGBT市场规模将达到522亿元,较2018年的153亿元增长241.2%,远...
摘要:BJT出现在MOSFET之前,而MOSFET出现在IGBT之前,所以我们从中间者MOSFET的出现来阐述三者的因果关系。 BJT出现在MOSFET之前,而MOSFET出现在IGBT之前,所以我们从中间者MOSFET的出现来阐述三者的因果关系。 MOSFET的出现可以追溯到20世纪30年代初。德国科学家Lilienfeld于1930年提出的场效应晶体管概念吸引了许多该领域科学家...