71第6章5_集成电路中BJT版图 半导体器件物理(1)
第6章_BJT版图设计 IC版图的艺术 第6章BJT版图设计 本章主要内容 标准双极小信号晶体管 CH6 CMOS工艺中的双极晶体管 典型NPN管 深N+使纵向集电极电阻减小 重掺杂发射区 经优化的基区掺杂和结深 衬底 C E B N+ N+ P N-epi NBLP-sub NBL使横向集电极电阻最小化 轻掺杂N外延形成漂移区 典型NPN管 隔离岛...
Silicon semiconductor 想咨询下BJT为何要在每个极的有源区之间画STI呢? 编辑 发布于 2024-01-24 18:37・上海 模拟集成电路设计精粹(书籍) 魔法披风 isolation 2024-07-22·浙江 回复喜欢 关于作者 Silicon semiconductor 回答 0
HV-CMOS工艺制程技术简介 BCD 工艺制程技术只适合某些对功率器件尤其是BJT 或大电流 DMOS 器件要求比较高的IC产品。BCD 工艺制程技术的工艺步骤中包含大量工艺是为了改善 BJT 和DMOS 的大电流特性,所以它 2024-07-22 09:40:32 基于Cadence与Mentor的CMOS模拟集成电路版图该如何去设计? 基于Cadence virtuoso与Mentor...
第6 章 BJT版图设计 IC版图的艺术 本章主要内容 CH6 标准双极小信号晶体管 CMOS工艺中的双极晶体管 典型NPN管 典型NPN管 C E B 隔离岛 NBL C E B CEB型NPN CBE型NPN C E B 横向PNP管 电流 电流 集电极接触 发射极接触 基极接触 金属场板 横向PNP管 分裂集电极的横向PNP (A)1/2-1/2 (B)1/4-...
BJT版图 主讲：黄炜炜
Lab 8BJT管版图设计 1.实验目的 1.1掌握BJT管版图设计规则 1.2熟悉LSW设计环境 1.3学会BJT管版图设计方法 1.4学会编辑工艺文件 2.实验原理 工艺技术文件用SKILL语言写成,包含了设计必需的很多信息,尤其对版图设计很重要。它包含版层的定义,符号化器件定义,几何、物理、电学设计规则,以及一些针对特定Cadence工具的规则定...
#硬声创作季 #半导体元器件 半导体物理与器件-6-2 BJT版图1 水管工 165 11 【电子】半导体物理-量子力学初步2 #硬声创作季 Hello,World! 204 14 晶胞(1)#硬声创作季 学习电子 200 11 【电子】半导体物理-pn结11 #硬声创作季 Hello,World! 203 11 【电子】半导体物理-量子力学初步8 #硬声创作季 Hello...
第6 章 BJT版图设计 IC版图的艺术 本章主要内容 CH6 标准双极小信号晶体管 CMOS工艺中的双极晶体管 典型NPN管 典型NPN管 C E B 隔离岛 NBL C E B CEB型NPN CBE型NPN C E B 横向PNP管 电流 电流 集电极接触 发射极接触 基极接触 金属场板 横向PNP管 分裂集电极的横向PNP (A)1/2-1/2 (B)1/4-...
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