bjt导通原理 Bjt(双极晶体管)的导通原理主要基于其发射极结(J1)和集电极结(J2)之间的相互作用。在正阻塞状态下,如果对Bjt的基极和发射极施加正向电压(UBE>0),发射结的正偏压将引发少数载流子注入效应,使得发射区中的电子穿过发射结进入基区。当电子深入基区时,许多电子与基区的空穴复合,由于复合而损失的空穴由基...