10、的高性能的 BIPOLARTRANSISTOR每一种元器件和技术都有它的优点和缺点,都有它的应用领域,本文我们将从几个大家关心的方面进行讨 论。1 .击穿电压:1) 对于MOSFE来说,BVDSS (漏源击穿电压)在 400V1000V而言,至U 80年代末,已经基本发展到极至,目前已经缺乏技术飞跃的可能性,Rds(ON)的改善,往往 仅靠早期的大...
这将使MOSFET在开通或者关闭时的功率损耗下降。根据不同的电路配置,经常需要能够以高转换速度提供峰值电流的驱动器,以确保获得最佳可能电路效率。 双极性晶体管VS MOSFET 自从IR(INTERNATIONAL RECTIFIED国际整流器公司)发明了第一个MOSFET(METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR金属氧化物半导体场效应管)以来,...
比如ZETEX,不断的推出新的高性能的BIPOLAR TRANSISTOR,每一种元器件和技术都有它的优点和缺点,都有它的应用领域,本文我们将从几个大家关心的方面进行讨论。 1.击穿电压: 1)对于MOSFET来说,BVDSS(漏源击穿电压)在400V~1000V而言,到80年代末,已经基本发展到极至,目前已经缺乏技术飞跃的可能性,Rds(ON)的改善,往往...
其次,MOSFET的开关速度比较迅速,MOSFET是一种多数载流子器件,能够以较高的速度工作,因为没有电荷存储效应。其三,MOSFET没有二次击穿失效机理,它在温度越高时往往耐力越强,而且发生热击穿的可能性越低。它们还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。此外,MOSFET具有并行工作能力,具有正的电阻温度系数。温度较高的器件...
Insulated Gate Bipolar Transistor,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。 ●简介: IGBT是一种由控制电路来控制,是否导电的半导体。比如控制电路指示为通,那么IGBT就是导体,电流畅通,如果控制电路指示为断,那么IGBT就是绝缘体,电流断开。 IGBT只要通过脉宽调制,就能轻松的把输入的直流电流变成人们所需要频率的交流电,...
这将使MOSFET在开通或者关闭时的功率损耗下降。根据不同的电路配置,经常需要能够以高转换速度提供峰值电流的驱动器,以确保获得 最佳可能电路效率。 双极性晶体管VS MOSFET 自从IR(INTERNATIONAL RECTIFIED国际整流器公司)发明了第一个MOSFET(METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR金属氧化物半导体场效应管)以来,...
What is a MOSFET? What is an IGBT? What is a JFET? What is a bipolar transistor? What is a bias resistor built-in transistor? What is a multi-chip discrete device? Technical documents for MOSFETs and bipolar transistors contain a safe operating area (SOA) graph. What is it?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是由MOSFET(绝缘栅型场效应晶体管)和BJT(双极型晶体管)相结合的电压驱动式功率器件,既有MOSFET管输入阻抗高、控制功率小、易于驱动、控制简单、开关频率高的优势,又结合了双极晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。萨科微工厂大批量生产的AMS1117-3.3、AMS1117-5.0、...
Bipolar Transistor and MOSFET Device ModelsSuzuki, Kunihiro
The bipolar transistor is generated in such a way that a region of its base (b) with a silicide layer (sd) is provided, so that a base resistor of the bipolar transistor is small. Between an emitter (e) and a contact (ke) of the emitter (e) and between a region (a) a collector...