要点二:研究表明,在CBN纳米板结构中仔细引入规则排列的(Bi2O2)2+层,通过(Bi2O2)2+→(CaNb2O7)2-→CBN表面的途径提供了高度的光电子传输。还发现Bi原子的电子密度分布在CBN纳米板的(020)和(200)晶面上富集,这对氧化还原反...
Experimental characterizations of the model system of Bi2.14Sr0.75Ta2O9﹛, combined with theoretical calculations, help us establish that the near﹊nfrared luminescence originates from defective [Bi2O2]2+ layers. Importantly, we validate the generality of our finding based on the observations of a...
致力于高迁移率二维材料(石墨烯、拓扑绝缘体、氧硫族半导体)的控制合成、界面调控和器件应用研究,率先开发了超高迁移率二维硒氧化铋半导体芯片材料(Bi2O2Se),建立了一系列二维Bi2O2Se晶体可控制备及表界面调控方法(Nano Lett.2017, 17, 3021;Nano Lett.2019,9, 197;Adv. Mater.2019,31, 1901964;J. Am. Chem...
硒氧铋 Bi2O2Se 晶体 更新时间:2024年06月28日 数智集采,工业好物狂欢趴!填写信息即可参与抽奖哦! 价格 ￥60.00 起订量 100平方毫米起批 货源所属商家已经过真实性核验 发货地 江苏省 苏州市 市辖区 数量 获取底价 查看电话 商家接听极速,可点击洽谈 在线咨询 QQ联系 智能提问 完整的介绍下产品...
进展｜基于Bi2O2Se的器件研究取得进展 二维半导体材料由于具有高电子迁移率和易于调控等潜在应用价值而广为关注。Bi2O2Se是这一领域内最近受到关注的一种材料，它具有空气中稳定、迁移率高、能隙适中（~0.8 eV）、自旋轨道耦合强等优点。目前，大面积的单层和多层Bi2O2Se薄膜已经被成功合成，且在场效应管、光电...
采用水热法将Ni2+均匀引进Bi2O2S晶体结构的[Bi2O2]2+层中,合成了Ni2+掺杂的层状结构Bi2O2S光催化剂。通过系列表征手段和理论计算,深入揭示了Ni2+对Bi2O2S结构、光化学性能等的影响。在99%的CO2以及空气气氛下,进行光催化CO2还原...
(2分)Bi2O2中铋元素(Bi)的化合价是( ) A. +1 B. +2 C. +3 D. +4 相关知识点: 试题来源: 解析 [解答]解:过氧化铋中氧元素的化合价为﹣2价,根据化合物中各元素的正负化合价代数和为0。 故选:B。 [分析]根据化合物中各元素的正负化合价代数和为零进行分析。反馈 收藏 ...
总体而言,Bi2O2Se半导体中的可切换铁电极化有望为将传感、逻辑和存储功能合并到单一材料系统中提供强大的材料平台,克服冯·诺伊曼架构中器件简化和高密度集成的瓶颈。 文献信息 Electrically Switchable Polarization in Bi2O2Se Ferroelectric Semiconductors (Adv. Mater., 2023, DOI:10.1002/adma.202210854)...
近日,清华大学清华-伯克利深圳学院(TBSI)刘碧录团队在实验上实现新型二维半导体材料Bi2O2Se力学性质的测量。该团队开发了一种以PDMS为介质的转移方法,将少层Bi2O2Se成功转移到目标基底上。PDMS介导转移方法是基于PDMS的辅助将少层Bi2O2Se直接从云母衬底上分离,并转移到不同的目标基底,如具有周期性微孔阵列的MEMS SiO2...
有鉴于此,近日,中山大学王成新教授和孙勇副教授(共同通讯作者)团队报道了最近开发的2D Bi2O2Te的大面积合成和单晶原生氧化物的可控热氧化行为。这表明,表面吸附的氧原子在高温下倾向于穿透[Bi2O2]n2n+层,并与下面的[Te]n2n-结合,直接转变为[TeO4]n2n-,而基本结构保持稳定。该氧化物可以被逐层方式精确调节,具...