BCD分别指的是Bipolar、CMOS、DMOS,BCD工艺指的就是说同一个工艺中同时包含了Bipolar、CMOS、DMOS这三种工艺。 1)Bipolar Bipolar工艺制造的芯片只包含了双极型晶体管,双极性晶体管就是BJT。 2)CMOS CMOS指的是Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。CMOS中的C表示“互...
首先,BCD工艺必须把双极器件、CMOS器件和DMOS器件同时制作在同一芯片上,而且这三种器件在集成后应基本上能具有各自分立时所具有的良好性能;其次,BCD工艺制造出来的芯片应具有更好的综合性能;此外,相对于其中最复杂的工艺(如双阱、多层布线、多层多晶硅的CMOS工艺)不应增加太多的工艺步骤。 2.2 BCD工艺兼容性考虑 BCD...
BCD工艺的优势在于其能够将不同性能的器件集成于一颗芯片之中，同时保持了各器件的优秀性能。特别是高压高功率的DMOS器件，在开关模式下展现出极低的功耗，给终端产品带来体积小、速度快、耗能低等优势。BCD工艺还提高了芯片的综合性能，简化了制造过程，降低了成本，同时增强了系统的可靠性并减少了电磁干扰。BCD技术...
模块化代表了BCD工艺发展的一个显著特征,采用模块化的开发方法,可以开发出多种不同类型的IC,在性能、功能和成本上达到最佳折中,从而方便地实现产品的多样化,快速满足持续增长的市场需求。自0.6μm 线宽以下BCD 工艺普遍采用双栅氧,薄栅氧实现低压CMOS ,厚栅氧用于制造高压DMOS 。此外,一种新型的大斜角注入工艺正被...
本文简单介绍了BCD工艺的概念,并比较BCD工艺与CMOS工艺。在功率芯片中,常会用到BCD工艺。BCD工艺是CMOS工艺的变种,是基于CMOS工艺的一种特色工艺。什么是BCD工艺?BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺技术是将双极型晶体管、CMOS(互补金属氧化物半导体)和DMOS(双扩散金属氧化物半导体)晶体...
BCD技术发展方向:高压,高功率,高密度,提高与CMOS兼容性,改善BJT和DMOS大电流特性。低电阻? BCD工艺关键技术三类问题:隔离技术,工艺兼容性,DMOS器件设计 隔离技术:自隔离,结隔离,介质隔离 自隔离:晶体管与衬底之间形成的反偏PN结来隔离。缺陷:存在寄生沟道,导致漏电,可能存在鸟嘴效应,容易引发闩锁和串扰。
BCD工艺自诞生以来,经历了不断的发展和改进。 121早期阶段 早期的BCD工艺主要侧重于将双极型和CMOS器件集成在一起,以实现一定程度的功能集成。但当时的工艺技术相对简单,性能和集成度有限。 122中期改进 随着技术的进步,BCD工艺在器件结构、制造工艺和性能方面进行了一系列的改进。例如,引入了更先进的光刻技术和薄膜...
BCD工艺是1986年由ST首次推出的一种单晶片集成工艺技术,这种技术能够在同一芯片上制作双极管bipolar,CMOS和DMOS 器件,它的出现大大地减小了芯片的面积。 2023-10-31 16:08:22 锐成芯微推出基于BCD工艺的三层光罩eFlash IP 成都锐成芯微科技股份有限公司(简称:“锐成芯微”“Actt”)宣布,公司推出基于BCD工艺平台...
BCD是Binary Coded Decimal的缩写,即二进制编码十进制。在BCD工艺中,数字被编码为4个二进制位的组合,每个二进制位代表一个十进制数位。BCD工艺技术的应用广泛,特别适用于模拟与数字混合电路和电源管理应用。 BCD工艺技术有几个关键步骤。首先是制造p-n结,这是制造晶体管和二极管的基本步骤。通过蒸发法或离子注入等...
1)高压 BCD 工艺制程技术主要的电压范围是500~700V,高压BCD 工艺制程技术主要的应用是电子照明和工业控制。 2)高功率 BCD工艺制程技术主要的电压范围是40~90V,主要的应用是汽车电子和手机RF功率放大器输出级。它的特点是大电流驱动能力和中等电压,而控制电路往往比较简单。